[發(fā)明專利]一種單晶爐漏硅后快速引流裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011641329.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112626610A | 公開（公告）日： | 2021-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬騰飛;汪奇;龍昭欽;宋麗平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 四川晶科能源有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B15/00 | 分類號(hào)： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 劉曉菲 |
| 地址： | 614802 四川省*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單晶爐漏硅后 快速 引流 裝置 | ||
1.一種單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，包括豎直通道(1)、溢流槽(2)和上蓋(3)，所述豎直通道(1)的頂端與單晶爐爐底連通，所述豎直通道(1)的底端與所述溢流槽(2)連通，所述上蓋(3)安裝于所述溢流槽(2)上端面，且所述溢流槽(2)內(nèi)為真空腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述豎直通道(1)為單層不銹鋼管道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述豎直通道(1)的厚度為3～5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述豎直通道(1)內(nèi)設(shè)置有石墨套筒(4)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述溢流槽(2)為單層不銹鋼立方體槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述溢流槽(2)的厚度為3～5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述溢流槽(2)內(nèi)設(shè)置有石墨板或氧化鋁式溢流棉層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的單晶爐漏硅后快速引流裝置，其特征在于，所述上蓋(3)與所述溢流槽(2)連接處設(shè)置有密封墊圈。
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