[發(fā)明專利]雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011639802.9 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113496913A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸賢國;樸成煥 | 申請(專利權(quán))人: | 杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 梁小龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙重 結(jié)構(gòu) 流動(dòng) 裝置 | ||
根據(jù)本發(fā)明的雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置的特征在于包括:包括第一流路形成部,連接于介質(zhì)流入部,以供流動(dòng)介質(zhì)流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流動(dòng)介質(zhì)流動(dòng);第二流路形成部,以與所述第一流路部連通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部連接于介質(zhì)排出部,以使所述第二流路部的流動(dòng)介質(zhì)排出;以及氣泡排出部,連接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流動(dòng)介質(zhì)中的氣泡。根據(jù)本發(fā)明,高溫的流動(dòng)介質(zhì)在雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置中流動(dòng),流動(dòng)介質(zhì)的波長被光吸收,所以在實(shí)際的半導(dǎo)體工序中使用的條件下測量流動(dòng)介質(zhì)的濃度,無需為了提高流動(dòng)介質(zhì)的檢測靈敏度而對流動(dòng)介質(zhì)分多次進(jìn)行化學(xué)處理。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置(FLOW CELL APPARATUS),更加詳細(xì)地,在流動(dòng)介質(zhì)的使用條件下監(jiān)測流動(dòng)介質(zhì)的狀態(tài),能夠準(zhǔn)確地測量流動(dòng)介質(zhì)的濃度的雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置。
背景技術(shù)
一般情況下,半導(dǎo)體晶片或太陽能電池等半導(dǎo)體制造工序中執(zhí)行蝕刻工序。在蝕刻工序中,為了蝕刻氮化硅膜,使用如磷酸溶液等高溫的蝕刻溶液(流動(dòng)介質(zhì))。從半導(dǎo)體晶片中溶出硅等溶出物后包含于蝕刻溶液,所以隨著半導(dǎo)體晶片的蝕刻工序的執(zhí)行,蝕刻溶液中的溶出物的濃度增加。如果蝕刻溶液中的溶出物的濃度增加到一定濃度以上,則更換蝕刻溶液。
在蝕刻溶液為高溫的狀態(tài)下難以微量分析硅的濃度,所以收集蝕刻溶液的一部分冷卻到常溫。為了提高冷卻的蝕刻溶液的檢測靈敏度,在進(jìn)行多次化學(xué)處理之后檢測蝕刻溶液的濃度。
但是,以前是將蝕刻溶液冷卻到常溫之后進(jìn)行多次化學(xué)處理,所以根據(jù)蝕刻溶液的溫度差異,檢測誤差范圍增大。因此,在實(shí)際半導(dǎo)體工序中應(yīng)用的使用條件下難以準(zhǔn)確地預(yù)測蝕刻溶液的狀態(tài)。
并且,在將高溫的蝕刻溶液降低至常溫時(shí),從蝕刻溶液容易析出溶出物,所以有時(shí)難以在蝕刻溶液準(zhǔn)確地測量溶出物的濃度。
并且,為了準(zhǔn)確地測量蝕刻溶液的濃度,分多次進(jìn)行化學(xué)處理,所以在分析濃度的過程中復(fù)雜地形成矩陣,降低分析濃度的準(zhǔn)確性。
在韓國授權(quán)專利公報(bào)第1785859號(2017.09.29授權(quán),發(fā)明名稱:銅離子檢測用熒光硅納米粒子、其的制造方法以及利用其的檢測傳感器)中公開了本發(fā)明的背景技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明的目的在于提供雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置,在流動(dòng)介質(zhì)的使用條件下監(jiān)測流動(dòng)介質(zhì)的狀態(tài),能夠準(zhǔn)確地測量流動(dòng)介質(zhì)的濃度。
解決技術(shù)問題的手段
根據(jù)本發(fā)明的雙重管結(jié)構(gòu)流動(dòng)池裝置的特征在于,包括第一流路形成部,連接于介質(zhì)流入部,以供流動(dòng)介質(zhì)流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流動(dòng)介質(zhì)流動(dòng);第二流路形成部,以與所述第一流路部連通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部連接于介質(zhì)排出部,以使所述第二流路部的流動(dòng)介質(zhì)排出;以及氣泡排出部,連接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流動(dòng)介質(zhì)中的氣泡。
所述第二流路形成部可以配置在所述第一流路形成部的內(nèi)部。
所述第一流路形成部可以包括:外部殼體,連接所述介質(zhì)流入部和所述氣泡排出部;以及透光部,分別形成在所述外部殼體的兩側(cè),以使光透過。
所述第二流路形成部可以包括:內(nèi)部殼體,所述內(nèi)部殼體的兩側(cè)被開口,以連通所述第一流路部和所述第二流路部,并且所述內(nèi)部殼體與所述介質(zhì)排出部連接;以及氣泡分離部,形成于所述內(nèi)部殼體的外側(cè)面。
所述外部殼體和所述內(nèi)部殼體可以配置為雙重管形狀。
所述氣泡排出部可以配置在所述外部殼體的上側(cè),以排出從流動(dòng)介質(zhì)分離的氣泡。
所述氣泡排出部可以分別形成在所述外部殼體的兩側(cè)端部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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