[發明專利]雙重管結構流動池裝置在審
| 申請號: | 202011639802.9 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113496913A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 樸賢國;樸成煥 | 申請(專利權)人: | 杰宜斯科技有限公司;杰宜斯科技ENP有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 梁小龍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙重 結構 流動 裝置 | ||
1.一種雙重管結構流動池裝置,其特征在于,包括:
第一流路形成部,連接于介質流入部,以供流動介質流入,并且所述第一流路形成部形成有第一流路部,以供流動介質流動;
第二流路形成部,以與所述第一流路部連通的方式形成有第二流路部,并且所述第二流路形成部連接于介質排出部,以使所述第二流路部的流動介質排出;以及
氣泡排出部,連接于所述第一流路形成部,以排出混合在所述第一流路部的流動介質中的氣泡。
2.根據權利要求1所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述第二流路形成部配置在所述第一流路形成部的內部。
3.根據權利要求2所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述第一流路形成部包括:
外部殼體,連接所述介質流入部和所述氣泡排出部;以及
透光部,分別形成在所述外部殼體的兩側,以使光透過。
4.根據權利要求3所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述第二流路形成部包括:
內部殼體,所述內部殼體的兩側被開口,以連通所述第一流路部和所述第二流路部,并且所述內部殼體與所述介質排出部連接;以及
氣泡分離部,形成于所述內部殼體的外側面。
5.根據權利要求4所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述外部殼體和所述內部殼體配置為雙重管形狀。
6.根據權利要求4所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述氣泡排出部配置在所述外部殼體的上側,以排出從流動介質中分離的氣泡。
7.根據權利要求6所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述氣泡排出部分別形成在所述外部殼體的兩側端部。
8.根據權利要求7所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述氣泡分離部分別形成在所述內部殼體的兩側端部。
9.根據權利要求6所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述氣泡排出部包括:
氣泡排出線,連接于所述外部殼體和第一泵;以及
開度調節閥,設置在所述氣泡排出線。
10.根據權利要求1所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述第一流路部的截面面積形成為大于所述介質流入部的截面面積。
11.根據權利要求1所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述雙重管結構流動池裝置還包括排放部,所述排放部連接于所述第一流路形成部。
12.根據權利要求11所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,
所述排放部包括:
第一排放線,連接于所述第一流路形成部和所述介質排出部;
第一開關閥,設置于所述第一排放線;
第二排放線,從所述第一排放線分支;以及
第二開關閥,設置于所述第二排放線。
13.根據權利要求1所述的雙重管結構流動池裝置,其特征在于,還包括:
監測部,向沿所述第二流路部流動的流動介質照射光,以測量流動介質的狀態。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





