[發明專利]發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011639297.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695737A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

本申請屬于顯示設備技術領域，尤其涉及一種發光器件的制備方法，包括以下步驟：制備包括依次疊層設置的陽極、空穴功能層、量子點發光層、電子功能層和陰極的發光器件；其中，所述電子功能層中包括金屬氧化物傳輸材料；對所述發光器件進行紫外光照射處理。本申請發光器件的制備方法，對發光器件進行紫外光照射處理，使金屬氧化物傳輸材料中O的電子受激發與量子點材料中活潑金屬元素形成配合物，同時金屬氧化物材料受紫外光激發后與陰極融合效果好。降低了電子傳輸層內部物理結構缺陷和表面粗糙度，電子傳輸遷移效率高，且量子點發光層與電子傳輸層和陰極界面結合緊密，電子注入效率高，避免功能層界面電荷累積，器件穩定性好，使用壽命長。

技術領域

本申請屬于顯示設備技術領域，尤其涉及一種發光器件及其制備方法。

背景技術

量子點是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒，其尺寸粒徑一般介于一之間。量子點具有量子限域效應，受激發后可以發射熒光。而且量子點具有激發峰寬、發射峰窄、發光光譜可調等獨特的發光特性，使得量子點材料在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管(QLED)是近年來迅速興起的一種新型顯示技術，量子點發光二極管是將膠體量子點作為發光層的器件，在不同的導電材料之間引入量子點發光層從而得到所需要波長的光。量子點發光二極管具有色域高、自發光、啟動電壓低、響應速度快等優點。

目前OLED器件為了平衡載流子注入，一般采用多層的器件結構，量子點發光層多采用核殼結構的量子點納米材料。量子點發光二極管中，量子點納米顆粒的有機表面配體和其內部精細化的核殼結構，導致其退火溫度不能過高，所以形成的量子點層界面粗糙度較高。另外，量子點層的退火溫度也限制了其相鄰電子傳輸層ETL的退火溫度，使得電子傳輸材料難以達到較好的結晶溫度，導致電子傳輸層內部結構不連續，降低了電子傳輸遷移率，增大了界面粗糙度。然而，量子點發光層和電子傳輸層之間高的界面粗糙度，影響了載流子注入到量子點發光層的連續性，注入效率低，降低了載流子注入性能。并且，界面縫隙處易形成電荷累積中心，加速材料老化，嚴重影響了器件壽命。

發明內容

本申請的目的在于提供一種發光器件及其制備方法，旨在一定程度上解決電子傳輸層與相鄰功能層之間的界面融合差，影響電子注入效率，且易形成電荷累積的問題。

為實現上述申請目的，本申請采用的技術方案如下：

第一方面，本申請提供一種發光器件的制備方法，包括以下步驟：

制備包括依次疊層設置的陽極、空穴功能層、量子點發光層、電子功能層和陰極的發光器件；其中，所述電子功能層中包括金屬氧化物傳輸材料；

對所述發光器件進行紫外光照射處理。

第二方面，本申請提供一種發光器件，所述發光器件由上述的方法制得。

本申請第一方面提供的發光器件的制備方法，對包括陽極、空穴功能層、量子點發光層、電子功能層和陰極的發光器件進行紫外光照射處理，通過紫外光照射處理，一方面，使電子傳輸層(ETL)中金屬氧化物傳輸材料中O的電子受激發后與相鄰的量子點發光層(QD)中Zn等活潑金屬元素形成配合物，使QD-ETL界面更融合，有利于電子注入發光層內部，且由于金屬氧化物中O的電子與量子點材料配位增加了傳輸層內部成鍵缺陷，提高了傳輸層內電子遷移率。另一方面，形成的配合物以及金屬氧化物傳輸材料對UV光具有較強的吸收作用，使電子傳輸層及發光層界面處溫度升高，傳輸層中晶體成鍵電子被激活，晶體再次生長，降低了傳輸層內部物理結構缺陷和表面粗糙度，使電子傳輸層與相鄰的發光層和陰極界面結合更緊密穩定，減少界面縫隙，降低功能層之間的勢壘，更有利于電子注入，減少電荷在界面層累積，降低材料老化速率，提高器件壽命。