[發明專利]發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011639297.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695737A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備包括依次疊層設置的陽極、空穴功能層、量子點發光層、電子功能層和陰極的發光器件；其中，所述電子功能層中包括金屬氧化物傳輸材料；

對所述發光器件進行紫外光照射處理。

2.如權利要求1所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發光層中包括核殼結構的量子點材料，所述量子點材料的外殼層含有鋅元素。

3.如權利要求1或2所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述紫外光照射處理的步驟包括：在紫外光波長為250～420nm，光波密度10～300mJ/cm²的條件下，對所述發光器件照射10～60min；

和/或，所述紫外光照射處理的條件還包括：在H₂O含量小于1ppm，溫度為80～120℃的環境下進行。

4.如權利要求3所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述紫外光照射處理的步驟包括：采用波長為320～420nm，光波密度10～150mJ/cm²的紫外光波從所述陽極一側進行照射處理10～60min；

或者，所述紫外光照射處理的步驟包括：采用波長為250～320nm，光波密度100～300mJ/cm²的紫外光波從所述陰極一側進行照射處理10～60min。

5.如權利要求4所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物傳輸材料選自：ZnO、TiO₂、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃中的至少一種；

和/或，所述金屬氧化物傳輸材料選自：摻雜有金屬元素的ZnO、TiO₂、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃中的至少一種，其中，所述金屬元素包括鋁、鎂、鋰、鑭、釔、錳、鎵、鐵、鉻、鈷中至少一種；

和/或，所述金屬傳輸材料的粒徑小于等于10nm。

6.如權利要求4所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料的外殼層包括：ZnS、ZnSe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe中的至少一種，或者

所述量子點材料的外殼層包括：ZnS、ZnSe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe中的至少兩種形成的合金材料。

7.如權利要求4～6任一所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為10～200nm；

和/或，所述量子點發光層的厚度為8～100nm；

和/或，所述量子點材料的外殼層厚度為0.2～6.0nm。

8.如權利要求7所述的發光器件的制備方法，其特征在于，當紫外光波從所述陰極一側進行照射，且所述電子傳輸層的厚度低于80nm時，所述紫外光照射處理的時長為15分鐘～45分鐘；

或者，當紫外光波從所述陰極一側進行照射，且所述電子傳輸層的厚度高于80nm時，所述紫外光照射處理的時長為30分鐘～90分鐘。

9.如權利要求8所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述陰極包括Mg、Ag、Al、Ca中的至少一種金屬材料，或者

所述陰極包括Mg、Ag、Al、Ca中的至少兩種的合金材料。

10.一種發光器件，其特征在于，所述發光器件由如權利要求1～9任一所述的方法制得。