[發明專利]發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011639283.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695822A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

本申請屬于顯示設備技術領域，尤其涉及一種發光器件的制備方法，包括以下步驟：制備發光器件；其中，電子傳輸層中包括金屬氧化物傳輸材料；量子點發光層中包括核殼結構的量子點材料，量子點材料的外殼層材料與空穴傳輸材料的價帶頂能級差大于等于0.5eV；對發光器件進行紫外光照射處理。本申請發光器件的制備方法，構建量子點外殼層材料與空穴傳輸材料的間≥0.5eV的空穴注入勢壘，降低空穴的注入效率，平衡空穴與電子的注入平衡，提高器件發光效率和使用壽命。同時，對發光器件進行紫外光照射處理，促進ETL與陰極和發光層的融合，提高電子遷移注入移率，降低量子點材料表面及QD?ETL界面電荷積累，降低材料老化，提高器件壽命。

技術領域

本申請屬于顯示設備技術領域，尤其涉及一種發光器件及其制備方法。

背景技術

量子點是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒，其尺寸粒徑一般介于一之間。量子點具有量子限域效應，受激發后可以發射熒光。而且量子點具有激發峰寬、發射峰窄、發光光譜可調等獨特的發光特性，使得量子點材料在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管(QLED)是近年來迅速興起的一種新型顯示技術，量子點發光二極管是將膠體量子點作為發光層的器件，在不同的導電材料之間引入量子點發光層從而得到所需要波長的光。量子點發光二極管具有色域高、自發光、啟動電壓低、響應速度快等優點。

目前OLED器件為了平衡載流子注入，一般采用多層的器件結構，量子點發光層多采用核殼結構的量子點納米材料。量子點發光二極管中，量子點納米顆粒的有機表面配體和其內部精細化的核殼結構，導致其退火溫度不能過高，所以形成的量子點層界面粗糙度較高。另外，量子點層的退火溫度也限制了其相鄰電子傳輸層ETL的退火溫度，使得電子傳輸材料難以達到較好的結晶溫度，導致電子傳輸層內部結構不連續，降低了電子傳輸遷移率，增大了界面粗糙度。然而，量子點發光層和電子傳輸層之間高的界面粗糙度，影響了載流子注入到量子點發光層的連續性，注入效率低，降低了載流子注入性能。并且，界面縫隙處易形成電荷累積中心，加速材料老化，嚴重影響了器件壽命。

發明內容

本申請的目的在于提供一種發光器件及其制備方法，旨在一定程度上解決現有光電器件中載流子復合不平衡的問題。

為實現上述申請目的，本申請采用的技術方案如下：

第一方面，本申請提供一種發光器件的制備方法，包括以下步驟：

制備包括依次疊層設置的陽極、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陰極的發光器件；其中，所述電子傳輸層中包括金屬氧化物傳輸材料；所述量子點發光層中包括核殼結構的量子點材料，所述量子點材料的外殼層材料與所述空穴傳輸層中空穴傳輸材料的價帶頂能級差大于等于0.5eV；

對所述發光器件進行紫外光照射處理。

第二方面，本申請提供一種發光器件，所述發光器件由上述的方法制得。

本申請第一方面提供的發光器件的制備方法，一方面，構建量子點材料的外殼層材料與空穴傳輸材料的價帶頂能級差大于等于0.5eV的空穴注入勢壘，通過提高空穴注入勢壘，降低空穴的注入效率，從而平衡發光層中空穴與電子的注入平衡。另一方面，通過紫外光照處理，ETL中金屬氧化物材料中O的電子受激發后與相鄰的發光層(QD)中活潑金屬元素形成配合物，增加ETL的內部成鍵缺陷，提高了ETL中電子遷和注入移率。同時，形成的配合物以及金屬氧化物傳輸材料對UV光強的吸收作用，可激活晶體成鍵電子，晶體再次生長，降低ETL內部物理結構缺陷和表面粗糙度，使接觸界面結合更緊密穩定，減少了QD-ETL的界面缺陷和能級勢壘，提高電子注入效率，降低量子點材料表面和QD-ETL界面電荷積累，使電荷均勻分布在QD和ETL中，降低材料老化速率，提高器件壽命。