[發明專利]發光器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011639283.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN114695822A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備包括依次疊層設置的陽極、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陰極的發光器件；其中，所述電子傳輸層中包括金屬氧化物傳輸材料；所述量子點發光層中包括核殼結構的量子點材料，所述量子點材料的外殼層材料與所述空穴傳輸層中空穴傳輸材料的價帶頂能級差大于等于0.5eV；

對所述發光器件進行紫外光照射處理。

2.如權利要求1所述發光器件的制備方法，其特征在于，對所述發光器件進行紫外光照射處理的步驟包括：

在陽極和陰極之間制備量子點發光層和電子傳輸層的復合層后，對所述復合層進行紫外光照射處理；

或者，在陰極表面制備電子傳輸層，進行第一次紫外光照射處理；在所述電子傳輸層表面制備量子點發光層，進行第二次紫外光照射處理；

或者，制備依次疊層設置的陽極、空穴傳輸層、量子點發光層、電子傳輸層和陰極的疊層復合結構，對所述疊層復合進行紫外光照處理。

3.如權利要求2所述發光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料的外殼層材料與所述空穴傳輸材料的價帶頂能級差為0.5～1.7eV。

4.如權利要求2～3任一所述發光器件的制備方法，其特征在于，所述紫外光照射處理的步驟包括：在紫外光波長為250～420nm，光波密度10～300mJ/cm²的條件下，對所述發光器件照射10～60min；

和/或，所述紫外光照射處理的條件還包括：在H₂O含量小于1ppm，溫度為80～120℃的環境下進行。

5.如權利要求4所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述第一次紫外光照射處理的步驟包括：采用波長為320～420nm，光波密度10～150mJ/cm²的紫外光波從所述電子傳輸層一側進行照射處理10～60min；

或者，所述第二次紫外光照射處理的步驟包括：在紫外光波長為300～420nm，光波密度10～300mJ/cm²的條件下，對量子點發光層進行照射處理10～60min；

或者，對所述疊層復合進行紫外光照處理的步驟包括：采用波長為320～420nm，光波密度10～150mJ/cm²的紫外光波從所述陽極一側進行照射處理10～60min；

或者，對所述疊層復合進行紫外光照處理的步驟包括：采用波長為250～320nm，光波密度100～300mJ/cm²的紫外光波從所述陰極一側進行照射處理10～60min。

6.如權利要求1～3或5任一所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物傳輸材料選自：ZnO、TiO₂、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃中的至少一種；

和/或，所述金屬氧化物傳輸材料選自：摻雜有金屬元素的ZnO、TiO₂、Fe₂O₃、SnO₂、Ta₂O₃中的至少一種，其中，所述金屬元素包括鋁、鎂、鋰、鑭、釔、錳、鎵、鐵、鉻、鈷中至少一種；

和/或，所述金屬傳輸材料的粒徑小于等于10nm。

7.如權利要求6所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述量子點材料的外殼層含有鋅元素；

和/或，所述量子點材料的外殼層包括：ZnS、ZnSe、ZnTe、CdZnS、ZnCdSe中的至少一種或者至少兩種形成的合金材料。

8.如權利要求7所述的發光器件的制備方法，其特征在于，所述空穴傳輸材料的價帶頂能級的絕對值小于等于5.3eV；

和/或，所述空穴傳輸材料選自：含苯胺基團的聚合物、含有芴基團和苯胺基團的共聚物中的至少一種。