[發(fā)明專利]一種評(píng)判柵極上切斷層位置對器件影響的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011638420.4
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN112733489B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘偉偉;楊璐丹
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州廣立微電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G06F30/398
• 分類號(hào): G06F30/398;G06F30/39
• 代理公司: 江蘇坤象律師事務(wù)所 32393
• 代理人: 趙新民

本發(fā)明提供了一種評(píng)判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，包括：獲取版圖信息，并確定目標(biāo)圖形所在層；將切斷層圖形分為:與柵極重疊的部分即第一重疊區(qū)、與兩個(gè)第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層連接部，僅與一個(gè)第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層端部；將切斷層圖形上最靠近相鄰有源區(qū)的側(cè)邊沿柵極延伸方向平移至觸及相鄰有源區(qū)，平移掃過的區(qū)域上與柵極重疊的部分是第二重疊區(qū)；通過判斷所述目標(biāo)器件接觸的第一重疊區(qū)是否與切斷層端部相接觸確定目標(biāo)器件與切斷層的相對位置；根據(jù)第二重疊區(qū)域的高度、切斷層圖形的尺寸評(píng)估對所述目標(biāo)器件性能的影響。過程簡潔，效率高，評(píng)判結(jié)果可靠，有利于指導(dǎo)器件的工藝設(shè)計(jì)與生產(chǎn)制造工藝，提高產(chǎn)品的成品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及一種判斷柵極上切斷層的位置并評(píng)估其對器件影響的方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，晶體管的尺寸變得越來越小，當(dāng)前集成電路設(shè)計(jì)工藝特征尺寸已經(jīng)達(dá)到10nm、7nm及以下。集成電路更小的特征尺寸意味著對制造誤差更小的裕量，制造結(jié)果的微小誤差都可能導(dǎo)致最終的電路性能下降甚至出現(xiàn)功能錯(cuò)誤，這些問題將會(huì)隨著集成電路的發(fā)展在未來變得越來越嚴(yán)重。納米時(shí)代，集成電路制造技術(shù)正面臨嚴(yán)重挑戰(zhàn)。

集成電路在制造過程中經(jīng)過了氧化、擴(kuò)散、光刻、外延等步驟，在光刻過程中，采用柵極切斷（Poly?Cut）技術(shù)對條狀柵極進(jìn)行切斷，可以提高晶體管的集成度。柵極切斷后的多晶硅切斷層所在位置會(huì)在刻蝕結(jié)束后用其他材料填充，由于填充材料與多晶硅的屬性不同，填充切斷層后會(huì)對柵極所在多晶硅施加應(yīng)力，會(huì)影響周圍器件的性能，甚至?xí)档托酒善仿?，帶來一定的?jīng)濟(jì)損失。因此需要尋找一種方法對器件與其所在柵極上的多晶硅切斷層的相對位置進(jìn)行判斷，在工藝開發(fā)過程中幫助統(tǒng)計(jì)、定位該種風(fēng)險(xiǎn)較高的器件，以便于針對風(fēng)險(xiǎn)做出后續(xù)應(yīng)對措施，保證芯片產(chǎn)品的性能。如果沒有這樣一種有效的方法來評(píng)判柵極上切斷層位置對器件影響將對生產(chǎn)工藝的改進(jìn)、設(shè)計(jì)的優(yōu)化非常不利。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是基于上述現(xiàn)有技術(shù)的全部或部分問題而進(jìn)行的，目的在于提供一種評(píng)判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，能夠判斷判斷柵極上切斷層與器件的相對位置并評(píng)估其對器件影響。

在本申請以下敘述中涉及的名詞以及相關(guān)技術(shù)原理所有解釋或定義僅是進(jìn)行示例性而非限定性說明。

本發(fā)明提供的一種評(píng)判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，包括：步驟S1.獲取版圖信息，并確定版圖的待識(shí)別層即目標(biāo)圖形所在層，包括柵極、多晶硅切斷層、有源層；步驟S2.處于目標(biāo)器件在柵極延伸方向上的一側(cè)或兩側(cè)的切斷層位于柵極上，任一個(gè)切斷層圖形橫跨至少兩個(gè)柵極，且其中一個(gè)為目標(biāo)器件的柵極；將切斷層圖形分為:與柵極重疊的部分即第一重疊區(qū)、與兩個(gè)第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層連接部、以及僅與一個(gè)第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層端部；將切斷層圖形上最靠近相鄰有源區(qū)的側(cè)邊沿柵極延伸方向平移至觸及相鄰有源區(qū)，平移掃過的區(qū)域上與柵極重疊的部分是第二重疊區(qū)；步驟S3.根據(jù)所述目標(biāo)器件與切斷層的距離即第二重疊區(qū)域沿柵極延伸方向的高度、切斷層圖形的尺寸評(píng)估切斷層對所述目標(biāo)器件性能的影響。

具體的一個(gè)情況中，所述步驟S2中，將切斷層圖形上最靠近相鄰有源區(qū)的側(cè)邊沿柵極延伸方向平移至觸及相鄰有源區(qū)，判斷相鄰的方法是：所述側(cè)邊沿柵極延伸方向往兩側(cè)分別延平移一段預(yù)設(shè)距離的過程中，如觸及有源區(qū)，則判斷所述有源區(qū)為該側(cè)的相鄰有源區(qū)；如沒有觸及到有源區(qū)，則判斷該側(cè)沒有相鄰的有源區(qū)。

作為進(jìn)一步的改進(jìn)，所述預(yù)設(shè)距離等于相鄰柵極之間中心線的間距。

一個(gè)示范性的實(shí)施方式中，所述切斷層圖形的尺寸分為切斷層圖形在柵極延伸方向上的高度和垂直于柵極延伸方向上的寬度。

其中可選的，切斷層圖形的在柵極延伸方向上的高度和/或其垂直于柵極延伸方向上的寬度越大，判斷切斷層對所述目標(biāo)器件性能的影響越大。