[發(fā)明專利]一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011638420.4
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112733489B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設計）人: 潘偉偉;楊璐丹
• 申請（專利權）人: 杭州廣立微電子股份有限公司
• 主分類號: G06F30/398
• 分類號: G06F30/398;G06F30/39
• 代理公司: 江蘇坤象律師事務所 32393
• 代理人: 趙新民

1.一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：

步驟S1.獲取版圖信息，并確定版圖的待識別層即目標圖形所在層，包括柵極、多晶硅切斷層、有源層；

步驟S2.處于目標器件在柵極延伸方向上的一側或兩側的切斷層位于柵極上，任一個切斷層圖形橫跨至少兩個柵極，且其中一個為目標器件的柵極；將切斷層圖形分為:與柵極重疊的部分即第一重疊區(qū)、與兩個第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層連接部、以及僅與一個第一重疊區(qū)接觸的部分即切斷層端部；將切斷層圖形上最靠近相鄰有源區(qū)的側邊沿柵極延伸方向平移至觸及相鄰有源區(qū)，平移掃過的區(qū)域上與柵極重疊的部分是第二重疊區(qū)；

步驟S3.根據所述目標器件與切斷層的距離即第二重疊區(qū)域沿柵極延伸方向的高度、切斷層圖形的尺寸評估切斷層對所述目標器件性能的影響；所述切斷層圖形的尺寸分為切斷層圖形在柵極延伸方向上的高度和垂直于柵極延伸方向上的寬度；切斷層圖形的在柵極延伸方向上的高度和/或其垂直于柵極延伸方向上的寬度越大，判斷切斷層對所述目標器件性能的影響越大；所述第二重疊區(qū)域沿柵極延伸方向的高度越小，判定切斷層對所述目標器件性能的影響越大。

2.根據權利要求1所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：所述步驟S2中，將切斷層圖形上最靠近相鄰有源區(qū)的側邊沿柵極延伸方向平移至觸及相鄰有源區(qū)，判斷相鄰的方法是：

所述側邊沿柵極延伸方向往兩側分別延平移一段預設距離的過程中，如觸及有源區(qū)，則判斷所述有源區(qū)為該側的相鄰有源區(qū)；

如沒有觸及到有源區(qū)，則判斷該側沒有相鄰的有源區(qū)。

3.根據權利要求2所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：所述預設距離等于相鄰柵極之間中心線的間距。

4.根據權利要求1所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：當切斷層圖形至少橫跨三個柵極時，還包括：通過判斷版圖中與所述目標器件接觸的第一重疊區(qū)是否與所述切斷層端部相接觸確定目標器件與切斷層的相對位置。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：所述目標器件沿柵極延伸方向上的一側同時存在兩個以上切斷層圖形時，僅評判所述步驟S2中形成的第二重疊區(qū)沿柵極延伸方向的高度最小的所述切斷層圖形對目標器件的影響。

6.根據權利要求1-4任意一項所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：所述切斷層圖形兩端的切斷層端部尺寸相等。

7.根據權利要求1-4任意一項所述的一種評判柵極上切斷層位置對器件影響的方法，其特征在于：針對所述第二重疊區(qū)域高度、切斷層圖形的高度和/寬度分別設定閾值，通過與閾值比較來分析切斷層對所述目標器件性能的影響大小。