[發明專利]一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法有效
| 申請號： | 202011638247.8 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112723364B | 公開（公告）日： | 2022-12-13 |
| 發明（設計）人： | 徐勛迪;余佳君;徐小崗 | 申請（專利權）人： | 徐小崗 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18;C01B33/107;C01B7/03;B82Y40/00;C07D301/26;C07D303/08 |
| 代理公司： | 杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289 | 代理人： | 金方瑋 |
| 地址： | 324000 浙江省衢州*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 生產 活性 純度 二氧化硅 方法 | ||
1.一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，其特征在于，二氧化硅按照反應燃燒質量比為：四氯化硅：氧氣：氫氣=200.00:75.34:2.38；四氯化硅的制備配方按照質量比為：沉淀法二氧化硅：焦炭：純氯氣：TH-904=100.00:48.00:227.00:1.00；
所述沉淀法二氧化硅中二氧化硅含量大于96.00%，氟硅酸鉀1.00-2.00%，硫酸鹽小于等于0.80%；
生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，包括如下步驟：
步驟一，利用氟硅酸和氟硅酸鹽生產高活性氟化鉀及電子級氟化鹽所生產的副產品沉淀法二氧化硅；
步驟二，將副產品沉淀法二氧化硅進行離心干燥得到干燥沉淀法二氧化硅；
步驟三，將沉淀法二氧化硅與氯氣、焦炭、TH-904在600-900℃下反應生成四氯化硅；步驟四，將四氯化硅與氫氣和氧氣反應燃燒生成高活性高純度氣相二氧化硅和氯化氫。
2.根據權利要求1所述的一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，其特征在于，所述沉淀法二氧化硅中二氧化硅含量大于96.00%，氟硅酸鉀1.00-2.00%，硫酸鹽小于等于0.80%。
3.根據權利要求1所述的一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，其特征在于，所述焦炭的平均粒徑是8μm以下，BET法表面積是120m2/g以上，硫分小于0.06%,碳含量80.00-87.00%。
4.根據權利要求1所述的一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，其特征在于，步驟三，將沉淀法二氧化硅與氯氣、焦炭、TH-904在800℃下反應生成四氯化硅。
5.根據權利要求1所述的一種生產高活性高純度氣相二氧化硅的方法，其特征在于，步驟三，按照質量分數比二氧化硅：焦炭：純氯氣：TH-904=100.00:48.00:227.00:1.00，在600-900℃下反應生成四氯化硅。
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