[發明專利]標準單元制備方法、標準單元、集成電路及系統芯片

有效

• 申請號: 202011636419.8
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112836462B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 楊展悌;蘇炳熏;葉甜春;羅軍;趙杰;王云
• 申請（專利權）人: 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;銳立平芯微電子（廣州）有限責任公司
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392;G06F30/398
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 楊明莉

1.一種標準單元制備方法，其特征在于，包括：

提供第一標準單元，所述第一標準單元包括至少一個標準閾值電壓器件，且所述標準閾值電壓器件為采用全耗盡絕緣體上硅工藝制成；

形成背壓通孔，所述背壓通孔經由所述第一標準單元的正面的背壓施加處沿所述第一標準單元的厚度方向向下延伸并貫穿氧化埋層；

于所述背壓通孔內形成導電插塞，所述導電插塞的一端與底層硅層靠近所述氧化埋層的一側電連接；

向所述導電插塞的另一端施加正向偏壓，使得所述第一標準單元的開關速度達到第二標準單元的開關速度，其中，所述第一標準單元的高度小于所述第二標準單元的高度。

2.根據權利要求1所述的標準單元制備方法，其特征在于，采用穿透硅通孔技術形成所述背壓通孔。

3.根據權利要求1所述的標準單元制備方法，其特征在于，所述第一標準單元包括與標準單元、或標準單元、非標準單元、觸發器標準單元及鎖存器標準單元中的至少一種。

4.根據權利要求1-3任一項所述的標準單元制備方法，其特征在于，向所述導電插塞的另一端施加正向偏壓的增加量，與所述第一標準單元的門極電流的增加量正相關。

5.根據權利要求1-3任一項所述的標準單元制備方法，其特征在于，所述于所述背壓通孔內形成導電插塞之后，還包括形成焊盤的步驟；

其中，所述焊盤與所述導電插塞電連接，且所述焊盤在所述第一標準單元的正面的正投影的面積大于零。

6.根據權利要求1-3任一項所述的標準單元制備方法，其特征在于：

所述第一標準單元的高度為6.5T、7T或9T中的任意一個；

所述第二標準單元的高度為7T、9T或12T中的任意一個。

7.根據權利要求6所述的標準單元制備方法，其特征在于，若所述第一標準單元的高度為6.5T，且所述第二標準單元的高度為9T，則向所述第一標準單元施加正向偏壓的電壓值為大于0且小于或等于2Vdd，其中，Vdd為確定工藝中的額定電壓值。

8.一種標準單元，其特征在于，采用如權利要求1-7任一項所述的標準單元制備方法制成。

9.一種集成電路，其特征在于，包括：

第一宏塊；

第二宏塊；以及

至少一個如權利要求8所述的標準單元，所述標準單元位于所述第一宏塊與所述第二宏塊之間；所述第一宏塊及所述第二宏塊為硬宏知識產權IP或存儲器塊。

10.一種系統芯片，包括：

存儲器；

處理器，其包括如權利要求9所述的集成電路。