[發明專利]量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置

有效

• 申請號: 202011635709.0
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112750956B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 馬中生;穆欣炬;劉高鵬;劉航
• 申請（專利權）人: 義烏清越光電科技有限公司;蘇州清越光電科技股份有限公司
• 主分類號: H10K50/84
• 分類號: H10K50/84;H10K50/115;H10K71/00;H10K59/10
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

本發明一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置，量子點發光二極管包括：量子點發光層；位于量子點發光層的一側的電子功能層；位于電子功能層背離量子點發光層的一側的陰極層；位于電子功能層與陰極層之間的鈍化層，鈍化層包括若干個間隔的鈍化部。上述量子點發光二極管降低了傳輸至量子點發光層中的空穴和電子的數量差異，最終降低了量子點發光層中電子積聚的程度，提高了器件性能。

技術領域

本發明涉及顯示裝置技術領域，具體涉及一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum?dot?light-emitting?diode,QLED)具有色純度高、穩定性好、壽命長、色溫佳、制備工藝簡單等優點，在下一代平板顯示和固態照明領域有著巨大的應用前景。

然而，由于電子傳輸層的遷移率高于空穴傳輸層的遷移率，導致量子點發光層中空穴和電子的數量差異大，過量的電子積聚在量子點發光層中，造成發光猝滅，極大地影響器件的發光效率。

發明內容

因此，本發明要解決的技術問題在于克服量子點發光二極管中量子點發光層中空穴和電子的數量差異較大的缺陷，從而提供一種量子點發光二極管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置。

本發明提供一種量子點發光二極管，包括：

量子點發光層；

位于所述量子點發光層的一側的電子功能層；

位于所述電子功能層的一側的陰極層；

位于所述電子功能層與所述陰極層之間的鈍化層，所述鈍化層包括若干個間隔的鈍化部。

可選的，所述鈍化部的材料為絕緣金屬氧化物；所述鈍化部的厚度不超過2nm。

可選的，所述電子功能層朝向所述陰極層的表面材料含有氧；優選的，所述電子功能層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述鈍化層接觸，所述電子傳輸層中含有氧；優選的，所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物；優選的，所述金屬氧化物的材料包括氧化鋅；優選的，所述陰極層的材料包括鋁、鋁合金或銀，所述鈍化部的材料包括氧化鋁或氧化銀。

本發明還提供一種量子點發光二極管的制備方法，包括以下步驟：

形成量子點發光層；

在所述量子點發光層的一側表面形成電子功能層；

在所述電子功能層背離所述量子點發光層的一側表面形成陰極層；

在所述電子功能層與所述陰極層的界面處形成鈍化層，所述鈍化層包括若干個間隔的鈍化部。

可選的，所述電子功能層與所述陰極層接觸的表面材料含有氧，所述鈍化部的材料為絕緣金屬氧化物，在所述電子功能層與所述陰極層的界面處形成所述鈍化層的工藝包括光子燒結工藝；優選的，所述電子功能層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述鈍化層接觸，所述電子傳輸層中含有氧；優選的，所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物；優選的，所述金屬氧化物的材料包括氧化鋅；優選的，所述陰極層的材料包括鋁、鋁合金或銀，所述鈍化部的材料包括氧化鋁或氧化銀；優選的，所述鈍化部的厚度不超過2nm。

可選的，所述光子燒結工藝的參數包括：所述光子燒結工藝采用的光源至所述陰極層之間的間距為1cm至10cm；脈沖寬度為0.01ms-10ms；脈沖電壓為0.1kV-5kV；所述光子燒結工藝中的脈沖個數為1至100，單個脈沖的能量密度為0.01J/cm³至100J/cm³。

可選的，所述光子燒結工藝采用的光源位于所述陰極層背離所述電子功能層的一側；或者，所述光子燒結工藝采用的光源位于所述電子功能層背離所述陰極層的一側；優選的，所述光子燒結工藝采用的光源包括氙燈。