[發(fā)明專利]量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法、顯示面板、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011635709.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112750956B | 公開（公告）日： | 2023-05-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬中生;穆欣炬;劉高鵬;劉航 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 義烏清越光電科技有限公司;蘇州清越光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H10K50/84 | 分類號(hào)： | H10K50/84;H10K50/115;H10K71/00;H10K59/10 |
| 代理公司： | 北京三聚陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛異榮 |
| 地址： | 322000 浙江省金華市義烏市*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，包括：
量子點(diǎn)發(fā)光層；
位于所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)的電子功能層；
位于所述電子功能層背離所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)的陰極層，所述電子功能層朝向所述陰極層的表面材料含有氧；
位于所述電子功能層與所述陰極層之間的鈍化層，所述鈍化層包括若干個(gè)間隔的鈍化部，所述鈍化部的材料為絕緣金屬氧化物；所述鈍化層由所述陰極層朝向所述電子功能層的一側(cè)表面的金屬元素與所述電子功能層朝向所述陰極層的一側(cè)表面的氧元素反應(yīng)生成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述鈍化部的厚度不超過2nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述電子功能層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述鈍化層接觸，所述電子傳輸層中含有氧。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述金屬氧化物的材料包括氧化鋅。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述陰極層的材料包括鋁、鋁合金或銀，所述鈍化部的材料包括氧化鋁或氧化銀。
7.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
形成量子點(diǎn)發(fā)光層；
在所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)表面形成電子功能層；
在所述電子功能層背離所述量子點(diǎn)發(fā)光層的一側(cè)表面形成陰極層，所述電子功能層與所述陰極層接觸的表面材料含有氧；
在所述電子功能層與所述陰極層的界面處形成鈍化層，所述鈍化層包括若干個(gè)間隔的鈍化部，所述鈍化部的材料為絕緣金屬氧化物；在所述電子功能層與所述陰極層的界面處形成所述鈍化層的工藝為光子燒結(jié)工藝。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述電子功能層包括電子傳輸層，所述電子傳輸層與所述鈍化層接觸，所述電子傳輸層中含有氧。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為金屬氧化物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬氧化物的材料包括氧化鋅。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述陰極層的材料包括鋁、鋁合金或銀，所述鈍化部的材料包括氧化鋁或氧化銀。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述鈍化部的厚度不超過2nm。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述光子燒結(jié)工藝的參數(shù)包括：
所述光子燒結(jié)工藝采用的光源至所述陰極層之間的間距為1cm至10cm；
脈沖寬度為0.01ms-10ms；脈沖電壓為0.1kV-5kV；
所述光子燒結(jié)工藝中的脈沖個(gè)數(shù)為1至100，單個(gè)脈沖的能量密度為0.01J/cm3至100J/cm3。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述光子燒結(jié)工藝采用的光源位于所述陰極層背離所述電子功能層的一側(cè)；或者，所述光子燒結(jié)工藝采用的光源位于所述電子功能層背離所述陰極層的一側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述光子燒結(jié)工藝采用的光源包括氙燈。
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