[發(fā)明專利]MEMS掃描鏡

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011635270.1
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112817143A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林育菁;畠山庸平;薛高鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;G01L1/20
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 李遠(yuǎn)思

本發(fā)明公開一種MEMS掃描鏡。該MEMS掃描鏡的一具體實施方式包括：反射鏡、用于使反射鏡繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的壓電致動器及反射鏡偏轉(zhuǎn)角度檢測裝置，反射鏡偏轉(zhuǎn)角度檢測裝置包括壓阻式壓力傳感器，該傳感器包括：第一導(dǎo)電類型導(dǎo)電半導(dǎo)體層；形成在半導(dǎo)體層中具有一個第二導(dǎo)電類型的壓阻區(qū)域；形成在半導(dǎo)體層中壓阻區(qū)域周圍的保護(hù)區(qū)域，具有第一導(dǎo)電類型且雜質(zhì)濃度大于半導(dǎo)體層的雜質(zhì)濃度，形成在半導(dǎo)體層上的絕緣層，以及，形成在絕緣層上的金屬布線，在該壓阻區(qū)域設(shè)置四個端子，使該傳感器具有X?ducer配置且壓阻區(qū)域具有被移除的中心區(qū)域；第一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型；或者，第一導(dǎo)電類型為p型，第二導(dǎo)電類型為n型。該實施方式可提升感測精度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及激光投影技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種MEMS掃描鏡。

背景技術(shù)

采用MEMS(Micro Electro Mechanical System，微機電系統(tǒng))掃描鏡的激光投影儀，具有低成本、小型化等優(yōu)點，具有廣闊的市場前景。

傳統(tǒng)的MEMS掃描鏡常采用扭桿致動方式，反射鏡被兩個、三個或更多的支撐該反射鏡的扭桿帶動傾斜并扭轉(zhuǎn)，以執(zhí)行光學(xué)掃描，采用共振驅(qū)動來實現(xiàn)大的掃描角度，需要通過結(jié)構(gòu)設(shè)計將反射鏡傾斜運動的共振頻率與驅(qū)動頻率相匹配。

在驅(qū)動MEMS掃描鏡或監(jiān)控反射鏡角度時，為了維持共振狀態(tài)，目前的方式是設(shè)置用于感測反射鏡偏轉(zhuǎn)角度的角度傳感器，驅(qū)動器根據(jù)角度傳感器輸出的信號控制施加到致動器的驅(qū)動電壓或驅(qū)動頻率，來驅(qū)動反射鏡旋轉(zhuǎn)。對于傳統(tǒng)的扭桿型MEMS掃描鏡，角度傳感器為在扭桿邊緣位置設(shè)置的采用壓電效應(yīng)或壓阻效應(yīng)的角度傳感器。

對于采用壓阻效應(yīng)的角度傳感器，其為壓阻式壓力傳感器，包括在扭桿邊緣設(shè)置的四個壓敏電阻元件，其中，壓敏電阻元件具有其電阻值因應(yīng)力而變化的性質(zhì)(壓阻效應(yīng))。如圖1所示，現(xiàn)有的壓阻式壓力傳感器由四個壓敏電阻元件4a、4b、4c和4d構(gòu)成惠斯頓電橋，其中，壓敏電阻元件4a的引出電極5a接入電壓VDD，壓敏電阻元件4b的引出電極5b接地，壓敏電阻元件4c的引出電極5c和壓敏電阻元件4d的引出電極5d用作惠斯頓電橋的輸出端，四個壓敏電阻元件4a、4b、4c和4d由硅晶片制成，由于需要四個壓敏電阻元件4a、4b、4c和4d構(gòu)成惠斯頓電橋，因此該壓阻式壓力傳感器在制備及形成于MEMS掃描鏡中存在許多限制，例如該壓阻式壓力傳感器的體積較大、存在對關(guān)于其布線和布局的限制等。