[發明專利]MEMS掃描鏡

在審

• 申請號: 202011635270.1
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112817143A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 林育菁;畠山庸平;薛高鵬
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;G01L1/20
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 李遠思

1.一種MEMS掃描鏡，包括反射鏡、用于使所述反射鏡繞旋轉軸旋轉的壓電致動器及反射鏡偏轉角度檢測裝置，其特征在于，所述反射鏡偏轉角度檢測裝置包括壓阻式壓力傳感器，所述壓阻式壓力傳感器包括：

第一導電類型導電半導體層；

形成在所述半導體層中具有一個第二導電類型的壓阻區域；

形成在所述半導體層中所述壓阻區域周圍的保護區域，具有第一導電類型且雜質濃度大于所述半導體層的雜質濃度，

形成在所述半導體層上的絕緣層，以及

形成在絕緣層上的金屬布線，

在該壓阻區域設置四個端子，使該傳感器具有X-ducer配置且壓阻區域具有被移除的中心區域；

第一導電類型為n型，所述第二導電類型為p型；或者，所述第一導電類型為p型，所述第二導電類型為n型。

2.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述壓阻區域的形狀為圓形、矩形或菱形。

3.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述被移除的中心區域為圓形或橢圓形。

4.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述被移除的中心區域的尺寸為所述壓阻區域的尺寸的二分之一。

5.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，壓阻區域的第一端和第二端沿該壓阻區域對稱軸方向設置，第三端和第四端位于壓阻區域兩側關于該對稱軸對稱設置，且各端位于各側的中心。

6.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述第一端用作公共端，第二端用于施加工作電壓，第三端和第四端為輸出端。

7.根據權利要求1所述的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述被移除的中心區域為非摻雜半導體區域。

8.根據權利要求1的MEMS掃描鏡，其特征在于，所述壓電致動器包括依次堆疊在半導體層的絕緣層上的下電極、壓電體和上電極，所述下電極設置在第一布線層中，用作壓電致動器的驅動電極。

9.根據權利要求1的MEMS掃描鏡，其特征在于，壓阻區域的對稱軸方向與所述旋轉軸平行。