[發(fā)明專利]磁盤裝置以及讀處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011634081.2
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN113838482B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 河邊享之;須藤大輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/02
• 分類號(hào): G11B5/02;G11B20/10
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 林娜;段承恩

1.一種磁盤裝置，具備：

盤，具有配置于從目標(biāo)位置起以比第1閾值大的第1偏移量在半徑方向上錯(cuò)開的第1半徑位置的第1扇區(qū)；

頭，對(duì)所述盤寫入數(shù)據(jù)，從所述盤讀取數(shù)據(jù)；以及

控制器，在從所述目標(biāo)位置起以不同于所述第1偏移量的第2偏移量錯(cuò)開的第2半徑位置配置所述頭而對(duì)所述第1扇區(qū)進(jìn)行讀取，

所述盤具有配置于從所述目標(biāo)位置起以第1閾值以下的第3偏移量在半徑方向上錯(cuò)開的第3半徑位置的第2扇區(qū)，

所述控制器在所述目標(biāo)位置配置所述頭而對(duì)所述第2扇區(qū)進(jìn)行讀取，

所述第1閾值與可讀取的第1錯(cuò)誤率以下的半徑方向的范圍和定位誤差范圍相關(guān)，即使配置于所述第2半徑位置的所述頭從所述第2半徑位置起在所述半徑方向上在所述定位誤差范圍內(nèi)進(jìn)行了搖動(dòng)，所述第1扇區(qū)以及所述第2扇區(qū)也被配置為能夠以所述第1錯(cuò)誤率以下的錯(cuò)誤率進(jìn)行讀取。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述第2偏移量比所述第1偏移量要小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述第1閾值相當(dāng)于第1范圍與第2范圍的差值，所述第1范圍是從所述目標(biāo)位置起到所述第1錯(cuò)誤率所對(duì)應(yīng)的半徑位置為止的范圍，所述第2范圍是從所述目標(biāo)位置起到相當(dāng)于所述定位誤差范圍的一半的值的半徑位置為止的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述第2偏移量相當(dāng)于從所述第1偏移量減去所述第1閾值而得到的值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器在從所述目標(biāo)位置起以小于所述第2偏移量的第4偏移量錯(cuò)開的第4半徑位置配置所述頭而對(duì)在所述第1扇區(qū)的所述盤的圓周方向上相鄰的第3扇區(qū)進(jìn)行讀取。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器，在配置于所述第1扇區(qū)的所述盤的圓周方向的第3扇區(qū)被配置于從所述目標(biāo)位置起以大于所述第1閾值且小于所述第1偏移量的第4偏移量在所述半徑方向上在與所述第1扇區(qū)相反的方向上錯(cuò)開的第4半徑位置的情況下，在所述第1半徑位置配置所述頭而對(duì)所述第1扇區(qū)進(jìn)行讀取，在所述目標(biāo)位置配置所述頭而對(duì)所述第3扇區(qū)進(jìn)行讀取。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

所述控制器，在配置于所述第1扇區(qū)的所述盤的圓周方向的第3扇區(qū)被配置于從所述目標(biāo)位置起以大于所述第1閾值的第4偏移量在所述半徑方向上在與所述第1扇區(qū)相反的方向上錯(cuò)開的第4半徑位置的情況下，按照成為所述第1偏移量與所述第4偏移量的移動(dòng)平均的路徑對(duì)所述第1扇區(qū)以及所述第3扇區(qū)進(jìn)行讀取。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的磁盤裝置，

所述控制器在判定為所述第1偏移量比所述第1閾值大的情況下，計(jì)算所述第2偏移量，將所述第2偏移量記錄于記錄區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤裝置，

所述控制器在對(duì)所述第1扇區(qū)進(jìn)行讀取時(shí)判定在所述記錄區(qū)域是否記錄有所述第2偏移量，在判定為在所述記錄區(qū)域記錄有所述第2偏移量的情況下在所述第2半徑位置配置所述頭而對(duì)所述第1扇區(qū)進(jìn)行讀取。

10.一種讀處理方法，是適用于磁盤裝置的讀處理方法，所述磁盤裝置具備：盤，具有配置于從目標(biāo)位置起以比第1閾值大的第1偏移量在半徑方向上錯(cuò)開的第1半徑位置的第1扇區(qū)和從所述目標(biāo)位置起以第1閾值以下的第3偏移量在半徑方向上錯(cuò)開的第3半徑位置的第2扇區(qū)；和頭，對(duì)所述盤寫入數(shù)據(jù)，從所述盤讀取數(shù)據(jù)，所述讀處理方法中，

在從所述目標(biāo)位置起以不同于所述第1偏移量的第2偏移量錯(cuò)開的第2半徑位置配置所述頭而對(duì)所述第1扇區(qū)進(jìn)行讀取，

在所述目標(biāo)位置配置所述頭而對(duì)所述第2扇區(qū)進(jìn)行讀取，

所述第1閾值與可讀取的第1錯(cuò)誤率以下的半徑方向的范圍和定位誤差范圍相關(guān)，即使配置于所述第2半徑位置的所述頭從所述第2半徑位置起在所述半徑方向上在所述定位誤差范圍內(nèi)進(jìn)行了搖動(dòng)，所述第1扇區(qū)以及所述第2扇區(qū)也被配置為能夠以所述第1錯(cuò)誤率以下的錯(cuò)誤率進(jìn)行讀取。