[發明專利]柔性X射線探測器的制備方法在審
| 申請號: | 202011633815.5 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112820748A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 史思罡;楊炯燦;李桂鋒;金利波 | 申請(專利權)人: | 上海奕瑞光電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 柔性 射線 探測器 制備 方法 | ||
本發明提供一種柔性X射線探測器的制備方法,在形成感光器陣列層之前,將柔性基底結合于第一剛性基底之上,以滿足制備感光器陣列層的高溫及平整度需求,在形成感光器陣列層之后,將第一犧牲層結合于感光器陣列層之上,并將第一剛性基底去除,通過第二犧牲層可將第二剛性基底及柔性基底相結合,且在形成閃爍體層后,在進行第二剛性基底的去除過程中,由于第二犧牲層與柔性基底的結合力較小,從而可解決第二剛性基底與柔性基底的剝離的問題,以避免剝離過程中發生不必要的粘連現象。本發明可有效解決柔性X射線探測器的制備過程中,柔性基底與剛性基底分離的問題,從而可制備高質量的柔性X射線探測器。
技術領域
本發明屬于X射線探測器制造領域,涉及一種柔性X射線探測器的制備方法。
背景技術
X射線輻射成像利用X射線短波長、易穿透的性質,不同原子序數、密度和厚度材料對X射線吸收不同的特點,通過探測透過物體的X射線的強度來成像。體積小、重量輕、移動便攜的數字X射線探測器廣泛應用于醫療診斷、工業檢測和安全檢查,逐漸取代了以膠片為記錄介質的傳統X射線成像系統。
現有的X射線探測器從能量轉換的方式可以分為兩種:間接轉換型探測器和直接轉換型探測器。其中,間接轉換型探測器應用較為廣泛,其主要包括閃爍體及感光器陣列。
目前,柔性X射線探測器的制作過程一般是:先在剛性基板上面完成柔性基底的制備,而后在柔性基底上制備包括薄膜晶體管TFT及光電二極管PD的TFT-PD的感光器陣列,以完成前段工藝,而后進行外接電路的綁定、制備閃爍體層、最后采用激光消融等方法實現柔性基底和剛性基板的分離,以完成柔性X射線探測器的制作。
然而,現有的柔性X射線探測器的制作主要存在以下缺陷:一方面,由于柔性基底與剛性基板要承受TFT-PD感光器陣列制作工藝中的高溫過程,因此要求柔性基底與剛性基板之間須具有較強的結合力;另一方面,為了使得剛性基板能夠完全被剝離,這就要求柔性基底與剛性基板之間存在較弱的結合力,否則局部柔性基底在剝離時可能就會發生粘連,造成柔性基底與閃爍體的局部分離,影響最終的圖像質量。因此,如何解決柔性基底與剛性基板分離的問題,是制備高質量的柔性X射線探測器亟待解決的問題。
因此,提供一種柔性X射線探測器的制備方法,實屬必要。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種柔性X射線探測器的制備方法,用于解決現有技術中由于柔性基底與剛性基板的分離問題,難以制備高質量的X射線探測器的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種柔性X射線探測器的制備方法,包括以下步驟:
提供第一剛性基底,于所述第一剛性基底上形成柔性基底;
于所述柔性基底上形成感光器陣列層;
于所述感光器陣列層上形成電路層,且所述電路層與所述感光器陣列層電連接;
于所述感光器陣列層上形成第一犧牲層;
去除所述第一剛性基底,顯露所述柔性基底;
提供第二剛性基底,并將所述柔性基底與所述第二剛性基底通過第二犧牲層相結合;
去除所述第一犧牲層,顯露所述感光器陣列層;
于所述感光器陣列層上依次形成閃爍體層及第一封裝層;
去除所述第二犧牲層及第二剛性基底,顯露所述柔性基底;
于所述柔性基底的表面形成第二封裝層。
可選地,所述第一犧牲層包括在加熱或光照下粘度降低的材質;所述第二犧牲層包括在加熱或光照下粘度降低的材質。
可選地,所述第一犧牲層包括藍膜或UV膜,所述第二犧牲層包括藍膜或UV膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





