[發(fā)明專利]柔性X射線探測(cè)器的制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011633815.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112820748A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史思罡;楊炯燦;李桂鋒;金利波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海奕瑞光電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H01L31/18
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供第一剛性基底，于所述第一剛性基底上形成柔性基底；

于所述柔性基底上形成感光器陣列層；

于所述感光器陣列層上形成電路層，且所述電路層與所述感光器陣列層電連接；

于所述感光器陣列層上形成第一犧牲層；

去除所述第一剛性基底，顯露所述柔性基底；

提供第二剛性基底，并將所述柔性基底與所述第二剛性基底通過(guò)第二犧牲層相結(jié)合；

去除所述第一犧牲層，顯露所述感光器陣列層；

于所述感光器陣列層上依次形成閃爍體層及第一封裝層；

去除所述第二犧牲層及第二剛性基底，顯露所述柔性基底；

于所述柔性基底的表面形成第二封裝層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述第一犧牲層包括在加熱或光照下粘度降低的材質(zhì)；所述第二犧牲層包括在加熱或光照下粘度降低的材質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述第一犧牲層包括藍(lán)膜或UV膜，所述第二犧牲層包括藍(lán)膜或UV膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：去除所述第一犧牲層的方法包括采用紫外光進(jìn)行照射；去除所述第二犧牲層的方法包括采用紫外光進(jìn)行照射。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述柔性基底包括PI層、PVA層及PET層中的一種或組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述柔性基底采用旋涂、烘干及固化工藝形成于所述第一剛性基底上；去除所述第一剛性基底的方法包括激光剝離法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述第一封裝層包括Al封裝層、Parylene封裝層及PET封裝層中的一種或組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述第二封裝層包括Al封裝層、Parylene封裝層及PET封裝層中的一種或組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述第一剛性基底包括玻璃基底、金屬基底、半導(dǎo)體基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一種；所述第二剛性基底包括玻璃基底、金屬基底、半導(dǎo)體基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性X射線探測(cè)器的制備方法，其特征在于：還包括在所述第二封裝層的表面形成保護(hù)層的步驟，其中，所述保護(hù)層包括具有單面膠層的Al膜及黑色吸光膜中的一種，且通過(guò)所述膠層將所述保護(hù)層與所述第二封裝層進(jìn)行結(jié)合。