[發明專利]一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置

在審

• 申請號: 202011632865.1
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112542210A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 黎永健;唐維強;劉佳慶;蔣雙泉
• 申請（專利權）人: 深圳市芯天下技術有限公司
• 主分類號: G11C29/56
• 分類號: G11C29/56
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發明公開了一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，通過采用拓展單元的pll模塊對輸入的板載時鐘信號進行倍頻，得到多個高速的時鐘信號，再通過拓展單元的slot模塊根據指令中操作flash時所采用的時鐘速率從pll模塊產生的時鐘信號中選取相應時鐘信號作為flash的操作時鐘，slot模塊根據解釋后的指令和選取的操作時鐘對待測flash進行相應操作，使測試裝置可以匹配flash的極限讀寫速度，大大提高了flash極限讀寫速度，提高了測試的靈活性。

技術領域

本發明涉及flash測試技術領域，尤其涉及的是一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置。

背景技術

隨著物聯網時代的到來，各種便攜性終端設備開始在市場上出現，nor flash芯片由于其讀取速度快、可執行代碼等特性，在物聯網設備中得到了極為廣泛的應用。電子產品的穩定性和使用壽命一直以來都是產品開發人員關注的重點，在flash產品出廠后，設計方需要對產品的使用壽命進行監控和測試，確保產品投入市場后的達到預期的表現，一般是周期性的對flash進行擦寫操作以實現檢測的目的，傳統方法采用單片機為核心操控flash，存在著檢測速率慢，成本較高等等缺點。

傳統的flash讀寫速率測試方法是采用mcu作為master，flash作為slaver，mcu通過spi總線周期性的向flash發送擦讀寫讀指令實現對flash的cycling操作，能夠正常執行cycling的最大操作次數便為該flash的使用壽命。通常flash的極限讀寫速度能夠達到100MHz以上，但是mcu的主頻一般較低，達不到這么高的速度，且長期運行在高頻率狀態下，mcu的使用壽命和穩定性會受到影響，使用的局限性較大。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，旨在解決現有的flash讀寫速度測試裝置的測試速度慢的問題。

本發明的技術方案如下：一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，其中，包括：

控制單元，向拓展單元發送控制指令；

電源模塊，為待測flash 提供正常供電；

拓展單元，所述拓展單元包括用于產生時鐘信號的pll模塊；拓展單元接收并解釋控制單元發送過來的指令，并根據指令中操作flash時所采用的時鐘速率從pll模塊產生的時鐘信號中選取相應時鐘信號作為flash 的操作時鐘，拓展單元根據解釋后的指令和選取的操作時鐘對待測flash 進行讀寫測試；

待測試芯片模塊，在待測試芯片模塊內安插待測flash ；

所述待測試芯片模塊與電源模塊電連接，拓展單元與待測試芯片模塊電連接，控制單元與拓展單元電連接，電源模塊與拓展單元連接。

所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，其中，所述控制單元采用MCU。

所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，其中，所述控制單元包括stm32單片機和為stm32單片機提供時鐘的晶振，所述stm32單片機與拓展單元電連接。

所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，其中，所述拓展單元采用FPGA。

所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置，其中，所述拓展單元還包括:

ctrl模塊，接收并解釋控制單元發送過來的指令；

slot模塊，接收ctrl模塊解釋后的指令，根據指令中操作flash 時所采用的時鐘速率從pll模塊產生的時鐘信號中選取相應時鐘信號作為flash的操作時鐘，根據解釋后的指令和選取的操作時鐘對待測flash進行相應操作；

所述slot模塊與ctrl模塊連接，ctrl模塊與控制單元連接，pll模塊與slot模塊連接，slot模塊通過待測試芯片模塊與待測flash對應連接。