[發明專利]一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置在審
| 申請號: | 202011632865.1 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112542210A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 黎永健;唐維強;劉佳慶;蔣雙泉 | 申請(專利權)人: | 深圳市芯天下技術有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/56 | 分類號: | G11C29/56 |
| 代理公司: | 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市龍崗區橫*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 速率 flash 極限 讀寫 速度 測試 裝置 | ||
1.一種高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,包括:
控制單元,向拓展單元發送控制指令;
電源模塊,為待測flash 提供正常供電;
拓展單元,所述拓展單元包括用于產生時鐘信號的pll模塊;拓展單元接收并解釋控制單元發送過來的指令,并根據指令中操作flash時所采用的時鐘速率從pll模塊產生的時鐘信號中選取相應時鐘信號作為flash 的操作時鐘,拓展單元根據解釋后的指令和選取的操作時鐘對待測flash 進行讀寫測試;
待測試芯片模塊,在待測試芯片模塊內安插待測flash ;
所述待測試芯片模塊與電源模塊電連接,拓展單元與待測試芯片模塊電連接,控制單元與拓展單元電連接,電源模塊與拓展單元連接。
2.根據權利要求1所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述控制單元采用MCU。
3.根據權利要求1所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述控制單元包括stm32單片機和為stm32單片機提供時鐘的晶振,所述stm32單片機與拓展單元電連接。
4.根據權利要求1所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述拓展單元采用FPGA。
5.根據權利要求4所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述拓展單元還包括:
ctrl模塊,接收并解釋控制單元發送過來的指令;
slot模塊,接收ctrl模塊解釋后的指令,根據指令中操作flash 時所采用的時鐘速率從pll模塊產生的時鐘信號中選取相應時鐘信號作為flash的操作時鐘,根據解釋后的指令和選取的操作時鐘對待測flash進行相應操作;
所述slot模塊與ctrl模塊連接,ctrl模塊與控制單元連接,pll模塊與slot模塊連接,slot模塊通過待測試芯片模塊與待測flash對應連接。
6.根據權利要求3所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述stm32單片機通過qspi接口與拓展單元進行通信。
7.根據權利要求5所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述ctrl模塊和slot模塊通過apb總線連接。
8.根據權利要求1所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述待測試芯片模塊采用flash專用底座。
9.根據權利要求1所述的高速率的flash極限讀寫速度測試裝置,其特征在于,所述電源模塊采用直流穩壓電源。
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