[發明專利]一種多通道表貼式T/R組件

在審

• 申請號: 202011632344.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112838366A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 曾敏慧;周建政;劉認;芮金城;候楊;倪濤;項瑋
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十三研究所
• 主分類號: H01Q1/52
• 分類號: H01Q1/52;H01Q23/00;H01Q1/50;H01Q3/30;H01Q21/00
• 代理公司: 合肥天明專利事務所(普通合伙) 34115
• 代理人: 金凱

本發明公開了射頻微波組件領域的一種多通道表貼式T/R組件，包括基板，基板的上表面固接金屬環框，金屬環框上方固接蓋板；基板的上表面還有呈規則分布的若干凹槽，凹槽中均設置射頻通道，各凹槽之間采用隔墻對射頻通道電磁隔離，隔墻與基板材質相同；隔墻中設有內腔，并在內腔中置有微波傳輸線；基板上還設有集總電路，射頻通道的一端連接至T/R組件的天線口，另一端通過微波傳輸線連接至集總電路的支路口，每個射頻通道與集總電路的微波傳輸線的電長度相等，集總電路的總口通過總口傳輸線連接到T/R組件的集總口。本發明采用了多通道綜合集成的架構，減少了金屬材料的使用量，充分利用T/R組件的內部空間，達到了小型化和輕量化的效果。

技術領域

本發明涉及射頻微波組件領域，具體是一種多通道表貼式T/R組件。

背景技術

T/R組件作為有源相控陣的核心，在通信和雷達系統中得到廣泛應用。T/R組件是有源相控陣雷達實現快速電掃描、數字波束形成和空間功率合成的必要部件，其性能對整機的性能將產生決定性的影響。

相控陣技術的發展對T/R組件的要求越來越高，表現在：要求T/R組件小型化、輕量化、高可靠、大功率。這種發展要求給T/R組件的設計制造帶來諸多難題。T/R組件的小型化，使得微波信號除了被分布在基板的表面，也可能被分布在產品空間的任意位置，信號走向變得更復雜，使設計難度大大增加；此外，通道間的物理距離減小導致通道間的空間耦合加強，對鄰近通道的幅度和相位的產生影響，最終影響通道間的一致性。T/R組件發射功率的增大不僅帶來散熱問題，還嚴重影響其他電性能，包括PA后級的環行器/開關的耐受功率、發射/接收的隔離度、接收通道的指標等。

傳統磚塊式的T/R組件越來越難滿足相控陣技術的發展需求。

發明內容

本發明的目的在于提供一種多通道表貼式T/R組件，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種多通道表貼式T/R組件，包括基板，所述基板的上表面固接金屬環框，金屬環框上方固接蓋板；所述基板的上表面還有呈規則分布的若干凹槽，所述凹槽中均設置射頻通道，各凹槽之間采用隔墻對射頻通道電磁隔離，所述隔墻與基板材質相同；所述隔墻中設有內腔，并在內腔中置有微波傳輸線；所述基板上還設有集總電路，所述射頻通道的一端連接至T/R組件的天線口，另一端通過所述微波傳輸線連接至所述集總電路的支路口，集總電路的總口通過總口傳輸線連接到T/R組件的集總口。

作為本發明的改進方案，所述隔墻的上表面、下表面及側面上均設有金屬膜層，用于實現對射頻通道的電磁隔離。

作為本發明的改進方案，所述隔墻的上表面、下表面上均設有金屬膜層，隔墻的內腔中靠近側面的位置上下貫通有金屬過孔，金屬過孔連接隔墻的上表面、下表面的金屬膜層，用于實現對射頻通道的電磁隔離。

作為本發明的改進方案，為了實現每個射頻通道與集總電路之間的微波傳輸線的插損一致，每個射頻通道與集總電路的微波傳輸線的電長度相等。

作為本發明的改進方案，為了實現T/R組件的散熱，所述基板選用ALN基板。

作為本發明的改進方案，所述基板底部設有表貼焊盤，T/R組件的天線口、集總口、電源/控制口設置在表貼焊盤上。

作為本發明的改進方案，所述蓋板內表面貼附有吸波材料。

作為本發明的改進方案，為了充分利用隔墻的內腔空間，減少微波傳輸線的長度，所述微波傳輸線由微帶線、射頻類同軸孔、帶狀線、微帶線依次連接組成，所述微波傳輸線一端的微帶線與射頻通道內部的多功能芯片連接，另一端的微帶線與集總電路的內部芯片連接，射頻類同軸孔與帶狀線位于所述隔墻的腔體中。