[發(fā)明專利]一種多通道表貼式T/R組件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011632344.6
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN112838366A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾敏慧;周建政;劉認(rèn);芮金城;候楊;倪濤;項(xiàng)瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所
• 主分類號(hào): H01Q1/52
• 分類號(hào): H01Q1/52;H01Q23/00;H01Q1/50;H01Q3/30;H01Q21/00
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所(普通合伙) 34115
• 代理人: 金凱

本發(fā)明公開了射頻微波組件領(lǐng)域的一種多通道表貼式T/R組件，包括基板，基板的上表面固接金屬環(huán)框，金屬環(huán)框上方固接蓋板；基板的上表面還有呈規(guī)則分布的若干凹槽，凹槽中均設(shè)置射頻通道，各凹槽之間采用隔墻對(duì)射頻通道電磁隔離，隔墻與基板材質(zhì)相同；隔墻中設(shè)有內(nèi)腔，并在內(nèi)腔中置有微波傳輸線；基板上還設(shè)有集總電路，射頻通道的一端連接至T/R組件的天線口，另一端通過微波傳輸線連接至集總電路的支路口，每個(gè)射頻通道與集總電路的微波傳輸線的電長(zhǎng)度相等，集總電路的總口通過總口傳輸線連接到T/R組件的集總口。本發(fā)明采用了多通道綜合集成的架構(gòu)，減少了金屬材料的使用量，充分利用T/R組件的內(nèi)部空間，達(dá)到了小型化和輕量化的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及射頻微波組件領(lǐng)域，具體是一種多通道表貼式T/R組件。

背景技術(shù)

T/R組件作為有源相控陣的核心，在通信和雷達(dá)系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。T/R組件是有源相控陣?yán)走_(dá)實(shí)現(xiàn)快速電掃描、數(shù)字波束形成和空間功率合成的必要部件，其性能對(duì)整機(jī)的性能將產(chǎn)生決定性的影響。

相控陣技術(shù)的發(fā)展對(duì)T/R組件的要求越來(lái)越高，表現(xiàn)在：要求T/R組件小型化、輕量化、高可靠、大功率。這種發(fā)展要求給T/R組件的設(shè)計(jì)制造帶來(lái)諸多難題。T/R組件的小型化，使得微波信號(hào)除了被分布在基板的表面，也可能被分布在產(chǎn)品空間的任意位置，信號(hào)走向變得更復(fù)雜，使設(shè)計(jì)難度大大增加；此外，通道間的物理距離減小導(dǎo)致通道間的空間耦合加強(qiáng)，對(duì)鄰近通道的幅度和相位的產(chǎn)生影響，最終影響通道間的一致性。T/R組件發(fā)射功率的增大不僅帶來(lái)散熱問題，還嚴(yán)重影響其他電性能，包括PA后級(jí)的環(huán)行器/開關(guān)的耐受功率、發(fā)射/接收的隔離度、接收通道的指標(biāo)等。

傳統(tǒng)磚塊式的T/R組件越來(lái)越難滿足相控陣技術(shù)的發(fā)展需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種多通道表貼式T/R組件，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種多通道表貼式T/R組件，包括基板，所述基板的上表面固接金屬環(huán)框，金屬環(huán)框上方固接蓋板；所述基板的上表面還有呈規(guī)則分布的若干凹槽，所述凹槽中均設(shè)置射頻通道，各凹槽之間采用隔墻對(duì)射頻通道電磁隔離，所述隔墻與基板材質(zhì)相同；所述隔墻中設(shè)有內(nèi)腔，并在內(nèi)腔中置有微波傳輸線；所述基板上還設(shè)有集總電路，所述射頻通道的一端連接至T/R組件的天線口，另一端通過所述微波傳輸線連接至所述集總電路的支路口，集總電路的總口通過總口傳輸線連接到T/R組件的集總口。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，所述隔墻的上表面、下表面及側(cè)面上均設(shè)有金屬膜層，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻通道的電磁隔離。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，所述隔墻的上表面、下表面上均設(shè)有金屬膜層，隔墻的內(nèi)腔中靠近側(cè)面的位置上下貫通有金屬過孔，金屬過孔連接隔墻的上表面、下表面的金屬膜層，用于實(shí)現(xiàn)對(duì)射頻通道的電磁隔離。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，為了實(shí)現(xiàn)每個(gè)射頻通道與集總電路之間的微波傳輸線的插損一致，每個(gè)射頻通道與集總電路的微波傳輸線的電長(zhǎng)度相等。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，為了實(shí)現(xiàn)T/R組件的散熱，所述基板選用ALN基板。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，所述基板底部設(shè)有表貼焊盤，T/R組件的天線口、集總口、電源/控制口設(shè)置在表貼焊盤上。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，所述蓋板內(nèi)表面貼附有吸波材料。

作為本發(fā)明的改進(jìn)方案，為了充分利用隔墻的內(nèi)腔空間，減少微波傳輸線的長(zhǎng)度，所述微波傳輸線由微帶線、射頻類同軸孔、帶狀線、微帶線依次連接組成，所述微波傳輸線一端的微帶線與射頻通道內(nèi)部的多功能芯片連接，另一端的微帶線與集總電路的內(nèi)部芯片連接，射頻類同軸孔與帶狀線位于所述隔墻的腔體中。