[發明專利]一種金納米棒表面生長介孔二氧化硅材料的制備方法在審
| 申請號: | 202011631694.0 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112775435A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 鄧天松;衛鳴璋;張棋;顧伊杰;程知群 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | B22F9/24 | 分類號: | B22F9/24;B22F1/02;B22F1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律師事務所 33233 | 代理人: | 陸永強 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 表面 生長 二氧化硅 材料 制備 方法 | ||
本發明公開了一種金納米棒表面生長介孔二氧化硅材料的制備方法,首先使用十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)與油酸鈉(NaOL)作為雙表面活性劑,采用種子介導法(seed?mediated)合成金納米棒。將一定量的CTAB與氯金酸(HAuCl4)混合與瓶中,再加入冰水混合物配制而成的硼氫化鈉(NaBH4),此為種子溶液;將對應低濃度的CTAB、NaOL在50℃下溶解于另一瓶中作為生長溶液,冷卻至30℃左右,再加入硝酸銀(AgNO3)、氯金酸。在室溫下攪拌60?90分鐘后溶液由金黃色變澄清;依次加入濃鹽酸(37wt.%)、抗壞血酸(AA)與種子溶液,得到金納米棒原料。合成完金納米棒后,將金納米棒離心并重新分散在CTAB溶液中,在加入一定量的NaOH溶液后,得到最終產物。
技術領域
本發明涉及光子納米晶體材料的制備領域,尤其涉及一種金納米棒表面修飾復合材料的制備方法。
背景技術
納米金屬合成技術已成為生物醫藥、傳感、成像、催化等領域發展的重要組成部分。其獨特的光學性質賦予其多樣的用途。而在納米金屬材料中,金納米棒作為最典型的代表之一,被廣為研究與探索。通過調控金納米棒的尺寸和形貌,可以有效地改變它的光學性質,以投入到不同領域以及不同情況的應用中。如今關于金納米棒生長、尺寸調控的研究已經進行地非常深入,而另一方面,復合材料以及表面修飾這一方向也同樣是十分有潛力的。通過在金納米棒表面生長不同的材料,可以改變其物理化學穩定性、增加材料的功能、提高光學性能等等。當使用裸金納米棒進行生物化學研究時,CTAB的毒性是不容忽視的。同樣,在催化等應用中,顆粒上存在致密的表面活性劑層大大降低了材料的性能,因為它會使得使反應物無法接近金屬表面。因此,基于無毒介孔二氧化硅層的另一種穩定機制克服了原有的這些問題,因為二氧化硅涂層顯著降低了范德華力,并且通過表面改性與幾乎任何溶劑相容,同時能讓周圍的分子接近金納米棒。
發明內容
為了實現簡單可行的介孔二氧化硅修飾金納米棒材料,并適用于各種長徑比的情況,本發明使用了NaOH催化TEOS水熱反應,并成功實現了復合材料的簡單制備。
為了實現上述發明目的,本發明采用了如下技術方案:
一種金納米棒表面生長介孔二氧化硅的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1,制備種子溶液。
步驟S2,制備生長溶液并進行生長。油酸鈉中的C-C雙鍵將生長溶液中的Au3+還原為Au+,加入鹽酸調控抗壞血酸酸根水解的速率,控制反應速率。Ag+目的為調節金納米棒的轉化率與形貌,與CTAB共同作用使金納米晶體沿著兩端生長成棒狀。
步驟S3,將生長溶液離心清洗,加入NaOH,并按30分鐘的時間間隔分6次加入TEOS溶液并攪拌。將步驟S2中合成的金納米棒產物表面包裹介孔二氧化硅。
其中,所述步驟S1包括以下步驟:
S10:將10mL 0.1M CTAB與0.25mL 10mM HAuCl4混合于瓶中,用冰水混合物與稱量好的一定質量NaBH4混合,配成0.01M溶液,并加入0.6mL于瓶中劇烈攪拌。溶液由金黃色變為棕黃色,此為種子溶液。
其中,所述步驟S2進一步包括以下步驟:
S20:將9.25mL 0.1M CTAB與0.062g NaOL在50℃下溶解于14.5mL水中。溶解后將溶液降溫至30℃,之后加入0.9mL 4mMAgNO3溶液。并于30℃恒溫靜置15分鐘,之后加入0.25mL 10mMHAuCl4。經過60-90分鐘,400rpm的攪拌,溶液由金黃色變為無色。此為生長溶液。
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