[發明專利]電子設備的抗核屏蔽結構及制作方法、電子設備在審

申請號：	202011631409.5	申請日：	2020-12-30
公開（公告）號：	CN112616305A	公開（公告）日：	2021-04-06
發明（設計）人：	吉慶貴	申請（專利權）人：	湘潭市神鉅機電科技有限公司
主分類號：	H05K9/00	分類號：	H05K9/00
代理公司：	安化縣梅山專利事務所 43005	代理人：	潘訪華
地址：	411100 湖南省湘潭***	國省代碼：	湖南;43
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	電子設備屏蔽結構制作方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

本發明提供一種電子設備的抗核屏蔽結構，包括外殼和電路裝置；所述電路裝置設置于所述外殼內，所述外殼和所述電路裝置之間形成空腔，所述空腔內填充有屏蔽層。屏蔽層包括膠體層和分散設置于膠體層內的屏蔽顆粒，相比于現有技術中采用鍍膜技術而言，該實施例制作簡單、制作成本低；相比于現有技術中采用重金屬屏蔽結構而言，該實施例采用膠體和屏蔽顆粒制作，并且外殼是利用的設備本身的外殼，具有結構靈活度高的優點。同時，屏蔽填充料還能很好的滲入各個電子零部件之間的間隙中，起到了增強電子零部件的散熱能力，提升產品的抗震性和防護性能的作用。本發明還提供一種電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法及電子設備。

技術領域

本發明涉及電子設備的抗核加固技術領域，尤其涉及一種電子設備的抗核屏蔽結構及制作方法、電子設備。

背景技術

目前主流的電子設備中大多包含了容易被γ射線損壞和被中子質子流干擾的電子零部件(如：含鋁元素零件、IC芯片、場效應管、邏輯電路裝置、采樣電路裝置等)，導致控制環路不穩定、采樣電路裝置性能漂移、零部件早衰等問題，所以一般應用于核輻射環境中的電子設備都需要采用抗核加固技術進行保護。現有技術中抗核加固技術主要包括鍍膜屏蔽技術和重金屬加固技術兩種，鍍膜屏蔽技術主要用于航空、航天、軍事等特殊領域，其性能好、體積小，但技術難度高、成本高昂、供應渠道少；而重金屬屏蔽容器技術主要用于核工業、醫療等技術領域，相對成本較低、技術難度低、采購渠道多，但其體積大、重量大、結構靈活性差，限制了抗核加固產品的應用靈活性，同時又因為各種抗核加固產品的外形尺寸差別很大，導致了無法標準化而造成產品生產加工效率低。

鑒于此，有必要提供一種新型的電子設備的抗核屏蔽結構及制作方法、電子設備，以解決或至少緩解上述技術缺陷。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種電子設備的抗核屏蔽結構及制作方法、電子設備，旨在解決現有技術中電子設備的抗核屏蔽結構成本高或結構靈活性差的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種電子設備的抗核屏蔽結構，包括：

外殼和電路裝置；所述電路裝置設置于所述外殼內，所述外殼和所述電路裝置之間形成空腔，所述空腔內填充有屏蔽層，所述屏蔽層包括膠體層和分散設置于所述膠體層內的屏蔽顆粒。

可選地，所述屏蔽顆粒為純度高于99.95％的鉛顆粒，所述鉛顆粒的尺寸大小為100目～500目。

可選地，所述所述屏蔽顆粒為鎢鎳鐵合金顆粒，所述鎢鎳鐵合金顆粒的尺寸大小為100目～500目。

可選地，所述膠體層為改性瀝青或環氧樹脂膠或有機硅膠，所述改性瀝青或所述環氧樹脂膠或有機硅膠的導熱系數大于0.5W/m.k。

可選地，所述電子設備的抗核屏蔽結構還包括絕緣層，所述絕緣層均勻設置于所述電路裝置的外表面，所述絕緣層的厚度大于1.5mm。

可選地，所述絕緣層由環氧樹脂或者有機硅膠材料制成。

為實現上述目的，本發明還提供一種電子設備，所述電子設備包括上述所述的電子設備的抗核屏蔽結構。

為實現上述目的，本發明還提供一種電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法，所述電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法應用于制作上述所述的電子設備的抗核屏蔽結構，包括以下步驟：