[發明專利]電子設備的抗核屏蔽結構及制作方法、電子設備在審
| 申請號: | 202011631409.5 | 申請日: | 2020-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN112616305A | 公開(公告)日: | 2021-04-06 |
| 發明(設計)人: | 吉慶貴 | 申請(專利權)人: | 湘潭市神鉅機電科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00 |
| 代理公司: | 安化縣梅山專利事務所 43005 | 代理人: | 潘訪華 |
| 地址: | 411100 湖南省湘潭*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子設備 屏蔽 結構 制作方法 | ||
1.一種電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,包括:
外殼和電路裝置;所述電路裝置設置于所述外殼內,所述外殼和所述電路裝置之間形成空腔,所述空腔內填充有屏蔽層,所述屏蔽層包括膠體層和分散設置于所述膠體層內的屏蔽顆粒。
2.根據權利要求1所述的電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,所述屏蔽顆粒為純度高于99.95%的鉛顆粒,所述鉛顆粒的尺寸大小為100目~500目。
3.根據權利要求1所述的電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,所述所述屏蔽顆粒為鎢鎳鐵合金顆粒,所述鎢鎳鐵合金顆粒的尺寸大小為100目~500目。
4.根據權利要求1所述的電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,所述膠體層為改性瀝青或環氧樹脂膠或有機硅膠,所述改性瀝青或所述環氧樹脂膠或有機硅膠的導熱系數均大于0.5W/m.k。
5.根據權利要求1所述的電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,所述電子設備的抗核屏蔽結構還包括絕緣層,所述絕緣層均勻設置于所述電路裝置的外表面,所述絕緣層的厚度大于1.5mm。
6.根據權利要求5所述的電子設備的抗核屏蔽結構,其特征在于,所述絕緣層由環氧樹脂或者有機硅膠材料制成。
7.一種電子設備,所述電子設備包括權利要求1-6中任一項所述的電子設備的抗核屏蔽結構。
8.一種電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法,其特征在于,所述電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法應用于制作權利要求1-6中任一項所述的電子設備的抗核屏蔽結構,包括以下步驟:
將改性瀝青在加工容器中加熱至130℃,加入屏蔽顆粒進行混合攪拌,控制混合攪拌過程中溫度在110℃-130℃,形成流動膠體;其中,所述改性瀝青占比不大于30%,所述屏蔽材料占比不小于70%;
將所述流動膠體倒入外殼和電路裝置形成的空腔中,待溫度降低至室溫后,所述流動膠體固化形成所述屏蔽層。
9.一種電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法,其特征在于,所述電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法應用于制作權利要求1-6中任一項所述的電子設備的抗核屏蔽結構,包括以下步驟:
將環氧樹脂或有機硅膠加入加工容器中,向加工容器加入固化劑和屏蔽顆粒進行混合攪拌,形成流動膠體;其中,所述環氧樹脂或有機硅膠占比不大于30%,所述屏蔽材料占比不小于70%;
將所述流動膠體倒入外殼和電路裝置形成的空腔中,所述流動膠體固化后形成所述屏蔽層。
10.根據權利要求9所述的電子設備的抗核屏蔽結構的制作方法,其特征在于,所述將環氧樹脂或有機硅膠加入加工容器中,向加工容器加入固化劑和屏蔽顆粒進行混合攪拌,形成流動膠體;其中,所述環氧樹脂或有機硅膠占比不大于30%,所述屏蔽材料占比不小于70%的步驟之后,所述將所述流動膠體倒入外殼和電路裝置形成的空腔中,流動膠體固化后形成所述屏蔽層的步驟之前,還包括:
通過多次噴涂或浸泡的方式使得電路裝置表面均勻覆蓋一層絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湘潭市神鉅機電科技有限公司,未經湘潭市神鉅機電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011631409.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種多功效的艾姜熱灸膏及其制備方法
- 下一篇:類器官的培養換液方法





