[發明專利]一種半導體封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202011628981.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112750808A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 王國軍;曹立強;嚴陽陽
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司;上海先方半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/98;H01L23/488;H01L23/538;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 薛異榮

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

第一互聯結構層；

第一芯片層，所述第一芯片層位于所述第一互聯結構層一側表面，所述第一芯片層包括多個第一芯片，所述第一芯片層中的第一芯片均正面朝向所述第一互聯結構層且與所述第一互聯結構層電性連接；

第二芯片層，所述第二芯片層位于所述第一互聯結構層背向所述第一芯片層一側表面，所述第二芯片層包括多個第二芯片，所述第二芯片層中的第二芯片均正面朝向所述第一互聯結構層且與所述第一互聯結構層電性連接。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第一芯片層中的兩個或更多第一芯片通過所述第一互聯結構層電性連接。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第二芯片層中的兩個或更多第二芯片通過所述第一互聯結構層電性連接。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第一芯片層中的多個第一芯片的數量與所述第二芯片層中的多個第二芯片的數量相同，所述第一芯片層中的各第一芯片與所述第二芯片層中的各第二芯片關于所述第一互聯結構層鏡像設置。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第一芯片層還包括位于第一互聯結構層一側表面的塑封層，所述塑封層包覆所述第一芯片層中的各第一芯片，所述塑封層背離所述第一互聯結構層一側的表面與所述第一芯片層中的各第二芯片的背面平齊。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第二芯片層還包括位于第一互聯結構層背向所述第一芯片層一側表面的第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層包覆所述第二芯片層中的各第二芯片，所述第二絕緣介質層背離所述第一互聯結構層一側的表面與所述第二芯片層中的各第二芯片的背面平齊；

優選的，所述第二絕緣介質層為硅介質層。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第一芯片層還包括：貫通所述塑封層的多個導電柱，每一導電柱一端與所述第一互聯結構層電性連接，另一端的表面與所述塑封層背離所述第一互聯結構層一側的表面平齊；

所述半導體封裝結構還包括第二第一互聯結構層，所述第二第一互聯結構層位于所述第一芯片層背離所述第一互聯結構層一側的表面，所述第二第一互聯結構層與所述多個導電柱電性連接。

8.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，

所述第二芯片層還包括：貫通所述第二絕緣介質層的多個導電柱，每一導電柱一端與所述第一互聯結構層電性連接，另一端的表面與所述第二絕緣介質層背離所述第一互聯結構層一側的表面平齊；

所述半導體封裝結構還包括第二第一互聯結構層，所述第二第一互聯結構層位于所述第二芯片層背離所述第一互聯結構層一側的表面，所述第二第一互聯結構層與所述多個導電柱電性連接。

9.一種半導體封裝結構制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成第一互聯結構層；

形成第一芯片層，所述第一芯片層形成于所述第一互聯結構層一側表面，所述第一芯片層包括多個第一芯片，所述第一芯片層中的第一芯片均正面朝向所述第一互聯結構層且與所述第一互聯結構層電性連接；

形成第二芯片層，所述第二芯片層形成于所述第一互聯結構層背向所述第一芯片層一側表面，所述第二芯片層包括多個第二芯片，所述第二芯片層中的芯片均正面朝向所述第一互聯結構層且與所述第一互聯結構層電性連接。

10.根據權利要求9所述的半導體封裝結構制造方法，其特征在于，

所述形成第一芯片層的步驟包括：

將多個第一芯片貼裝于第一互聯結構層一側表面；

形成塑封層，所述塑封層形成于貼裝有第一芯片的一側表面，所述塑封層包覆所述第一芯片層中的各第一芯片；減薄所述塑封層，至所述塑封層背離所述第一互聯結構層一側的表面與所述第一芯片層中的各第一芯片的背面平齊；

所述形成第二芯片層的步驟包括：

形成第二絕緣介質層，所述第二絕緣介質層位于第一互聯結構層背向所述第一芯片層一側表面；將多個第二芯片埋入所述第二絕緣介質層中，并填平所述多個第二芯片與所述第二絕緣介質層之間的間隙；減薄所述第二絕緣介質層，直至所述第二絕緣介質層背離所述第一互聯結構層一側的表面與所述第二芯片層中的各第二芯片的背面平齊；

所述半導體封裝結構制造方法還包括：形成多個導電柱，所述多個導電柱形成于所述第一芯片層且貫通所述塑封層，所述多個導電柱與所述第一互聯結構層電性連接；形成第二第一互聯結構層，所述第二第一互聯結構層形成于所述第一芯片層背離所述第一互聯結構層一側的表面，所述第二第一互聯結構層與所述多個導電柱電性連接；

或者，所述多個導電柱形成于所述第二芯片層且貫通所述第二絕緣介質層，所述多個導電柱與所述第一互聯結構層電性連接；形成第二第一互聯結構層，所述第二第一互聯結構層形成于所述第一芯片層背離所述第一互聯結構層一側的表面，所述第二第一互聯結構層與所述多個導電柱電性連接；

優選的，所述形成多個導電柱的步驟在所述形成塑封層的步驟之前進行；

優選的，所述形成第二絕緣介質層的步驟為：提供一硅載片；且所述形成第一互聯結構層的步驟在所述硅載片上進行。