[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011628823.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112750955A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 朱陽波

本發明公開一種量子點發光二極管及其制備方法，所述量子點發光二極管包括：陽極、陰極、設置于所述陽極和陰極之間的發光層；其中，所述發光層包括：間隙材料、分散于所述間隙材料中的量子點；所述間隙材料的透光率大于80％，所述間隙材料的折射率大于1.2。本發明通過將量子點分散于間隙材料中，使得間隙材料填充了量子點之間的間隙，由于該間隙材料具有高的透光率和折射率，從而增強了量子點中光子的取出，進而提高了量子點發光二極管的發光效率；同時，減弱了量子點對光子的吸收，降低量子點本征發光引起的光老化，提高了器件壽命。

技術領域

本發明涉及量子點發光器件領域，尤其涉及一種量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

量子點，是半徑小于或者接近波爾激子半徑的納米晶顆粒，其粒徑一般介于3-20nm之間。量子點具有量子限域效應，受激發后可以發射熒光。而且量子點具有獨特的發光特性，例如激發峰寬，發射峰窄，發光光譜可調等性質，使得其在光電發光領域具有廣闊的應用前景。量子點發光二極管，就是將膠體量子點作為發光層的器件，在不同的導電材料之間引入所述發光層從而得到所需要波長的光，具有色域高、自發光、啟動電壓低、響應速度快等優點。

量子點納米顆粒一般采用旋涂的方式形成器件的發光層，每個量子點之間會形成較多低折射率的空隙，這些低折射率空隙的存在，導致發光層內的光子容易在量子點內發生全反射降低器件的發光效率，由于空隙和量子點的折射率差，量子點也容易吸收來自其他量子點的光子，從而進一步降低器件發光效率，同時，由于較多的光子被束縛在發光層內部，會加速量子點材料的光老化，從而影響QLED器件的壽命。

單獨量子點納米顆粒旋涂成膜后不夠致密，器件的漏電流較大，影響器件效率。在后續器件制備和使用中，易與其他載流子傳輸層發生界面融合和離子交換，從而使量子點發光層發生淬滅，影響器件的壽命。

發明內容

本發明的目的在于提供一種量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有量子點發光二極管的發光效率仍有待于提高的問題。

本發明的技術方案如下：

一種量子點發光二極管，其中，包括：陽極、陰極、設置于所述陽極和陰極之間的發光層；

其中，所述發光層包括：間隙材料、分散于所述間隙材料中的量子點；所述間隙材料的透光率大于80％，所述間隙材料的折射率大于1.2。

可選地，所述間隙材料的折射率大于1.2，小于2.0；和/或

所述間隙材料為帶隙大于等于3eV，小于5eV的絕緣材料；和/或

所述間隙材料的熔點小于200℃；和/或

所述間隙材料的熔點小于200℃。

可選地，所述發光層由間隙材料和分散于所述間隙材料中的量子點組成。

可選地，所述間隙材料選自PMMA、PC、PP、PET中的一種或多種；和/或

所述量子點選自II-VI族化合物、II-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和I-II-IV-VI族化合物中的一種或多種。

可選地，所述量子點發光二極管還包括：

空穴注入層，所述空穴注入層設置在所述陽極和發光層之間；

空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設置在所述空穴注入層和發光層之間；

電子傳輸層，所述電子傳輸層設置在所述陰極和發光層之間。

一種量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

在陽極表面形成發光層，在所述發光層表面形成陰極；或者，在陰極表面形成發光層，在所述發光層表面形成陽極；