[發明專利]一種量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011628823.0
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112750955A
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 王天鋒
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 朱陽波

1.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括：陽極、陰極、設置于所述陽極和陰極之間的發光層；

其中，所述發光層包括：間隙材料、分散于所述間隙材料中的量子點；所述間隙材料的透光率大于80％，所述間隙材料的折射率大于1.2。

2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述間隙材料的折射率大于1.2，小于2.0；和/或

所述間隙材料為帶隙大于等于3eV，小于5eV的絕緣材料；和/或

所述間隙材料的熔點小于200℃。

3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述發光層由間隙材料和分散于所述間隙材料中的量子點組成。

4.根據權利要求3所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述間隙材料選自PMMA、PC、PP、PET中的一種或多種；和/或

所述量子點選自II-VI族化合物、II-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和I-II-IV-VI族化合物中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管，其特征在于，所述量子點發光二極管還包括：

空穴注入層，所述空穴注入層設置在所述陽極和發光層之間；

空穴傳輸層，所述空穴傳輸層設置在所述空穴注入層和發光層之間；

電子傳輸層，所述電子傳輸層設置在所述陰極和發光層之間。

6.一種量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在陽極表面形成發光層，在所述發光層表面形成陰極；或者，在陰極表面形成發光層，在所述發光層表面形成陽極；

其中，所述發光層包括：間隙材料、分散于所述間隙材料中的量子點；所述間隙材料的透光率大于80％，所述間隙材料的折射率大于1.2。

7.根據權利要求6所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述間隙材料的折射率大于1.2，小于2.0；和/或

所述間隙材料為帶隙大于等于3eV，小于5eV的絕緣材料；和/或

所述間隙材料的熔點小于200℃。

8.根據權利要求6所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述間隙材料選自PMMA、PC、PP、PET中的一種或多種；和/或

所述量子點選自II-VI族化合物、II-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和I-II-IV-VI族化合物中的一種或多種。

9.根據權利要求6所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述在陽極或者陰極表面形成發光層的步驟，具體包括：

在陽極或者陰極表面形成間隙材料層；

在所述間隙材料層表面形成量子點層；

將溫度升高至間隙材料融化，量子點嵌入間隙材料中，得到所述發光層。

10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述在陽極或者陰極表面形成發光層的步驟，具體包括：

將間隙材料溶液轉至陽極或者陰極表面，經退火得到間隙材料層；

將量子點溶液轉至所述間隙材料層表面，經退火得到量子點層；

將溫度升高至間隙材料融化，量子點嵌入間隙材料中，得到所述發光層。

11.根據權利要求9或10所述的量子點發光二極管的制備方法，其特征在于，所述將溫度升高至間隙材料融化的同時，還進行氣壓控制和/或離心處理；和/或

所述間隙材料層的厚度為量子點層厚度的1-3倍；和/或

所述溫度升高至80-200℃。