[發(fā)明專利]半導體封裝件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011627038.3
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN113130405A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設計）人: 陳揚哲;林振華;曾皇文;梁其翔;劉醇明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/10;H01L21/50
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

半導體封裝件包括：半導體芯片，設置在第一襯底的第一主表面上方；封裝蓋，設置在半導體芯片上方；以及間隔件，從所述封裝蓋延伸穿過第一襯底中的相應孔。間隔件進入第一襯底的第一主表面處的孔，并且延伸超過第一襯底的相對的第二主表面。本申請的實施例還涉及制造半導體封裝件的方法。

技術領域

本申請的實施例涉及半導體封裝件及其制造方法。

背景技術

隨著對計算速度和異構集成的需求的增加，越來越多的硅芯片被組裝到單個封裝中。因此，多芯片封裝尺寸(4000mm²)和重量不斷增加。在表面安裝技術(SMT)工藝期間，較重的封裝件可能會使球柵陣列(BGA)扭曲，因為BGA的熔化焊料凸塊可能無法支撐封裝重量。如果BGA嚴重變形，從而使得相鄰的焊料凸塊接觸，可能會發(fā)生橋接，并可能導致電短路。

發(fā)明內容

本申請的一些實施例提供了一種半導體封裝件，包括：半導體芯片，設置在第一襯底的第一主表面上方；封裝蓋，設置在所述半導體芯片上方；以及間隔件，從所述封裝蓋延伸穿過所述第一襯底中的相應孔，其中，所述間隔件進入所述第一襯底的第一主表面處的孔，并且延伸超過所述第一襯底的相對的第二主表面。

本申請的另一些實施例提供了一種半導體封裝件件，包括：半導體芯片，設置在所述第一襯底的第一主表面上方；環(huán)形或框架形狀的封裝蓋，具有開口并且設置在所述半導體芯片上方；第二襯底，設置在所述第一襯底下方；以及間隔件，從所述封裝蓋延伸穿過所述第一襯底中的相應孔，其中，所述間隔件進入所述第一襯底的第一主表面處的孔，并且延伸超過所述第一襯底的相對的第二主表面并接觸所述第二襯底的主表面。

本申請的又一些實施例提供了一種制造半導體封裝件的方法，所述方法包括：將封裝蓋定位在設置在第一襯底的第一主表面上方的芯片上方，其中，所述封裝蓋具有從所述封裝蓋的外圍延伸的多個間隔件，并且所述第一襯底具有與所述多個間隔件相對應的多個孔；以及將所述間隔件定位在所述孔中，使得所述間隔件穿過所述第一襯底的第一主表面并且延伸超過所述第一襯底的第二相對主表面，以形成封裝的半導體器件。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制并且僅用于說明的目的。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖5A和圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖7A和圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件。

圖8A和圖8B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件。

圖9A、圖9B、圖9C和圖9D示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的組件。

圖10A和圖10B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。

圖10C和圖10D示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的組件。

圖11A和圖11B示出根據(jù)本發(fā)明實施例的半導體器件封裝件的順序制造操作的各個階段中的一個。