[發明專利]用于調節處理腔中電漿曲線的裝置及其控制方法在審
| 申請號: | 202011627023.7 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112736015A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 張賽謙;李健 | 申請(專利權)人: | 拓荊科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司: | 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 李丹 |
| 地址: | 110179 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 調節 處理 腔中電漿 曲線 裝置 及其 控制 方法 | ||
1.一種用于調節電漿曲線的裝置,包含:一金屬調節環,其特征在于:
所述金屬調節環具有一內側面、一斜面及一頂面,所述斜面自所述頂面向所述內側面向下延伸,所述斜面與所述頂面定義一夾角,所述夾角介于150度至120度之間。
2.一種用于調節電漿曲線的裝置,其特征在于,包含:
一支撐盤,具有一承載區域及圍繞所述承載區的一周圍區;及
一金屬調節環,埋設于且延伸于所述支撐盤的周圍區,所述金屬調節環具有面向所述承載區的一內側面、一斜面及一頂面,所述斜面自所述頂面向所述內側面向下延伸,所述斜面與所述頂面定義一夾角,所述夾角介于150度至120度之間。
3.按照權利要求2所述的裝置,其特征在于:所述支撐盤的周圍區具有一陶瓷環,所述陶瓷環將所述金屬調節環包覆于所述支撐盤的周圍區中。
4.按照權利要求2所述的裝置,其特征在于:所述支撐盤的周圍區的至少一部分高于所述承載區。
5.按照權利要求2所述的裝置,其特征在于:所述支撐盤具有一連接器組件,所述連接器組件提供一導線與所述金屬調節環電性連接,使所述金屬調節環經由所述導線接收一直流電壓。
6.按照權利要求5所述的裝置,其特征在于:所述連接器組件包含:
一接線套,至少部分嵌入所述支撐盤并包覆所述導線;
一固定帽,將接線套固持于所述支撐盤中;及
一保護罩,至少部分延伸于所述支撐盤外并包覆所述接線套的至少一部分。
7.一種方法,用于控制如權利要求5所述的裝置,其特征在于,所述方法包含:
以一馬達于一處理腔中升降所述支撐盤;及
以一運動組件升降所述導線,使所述導線與所述支撐盤同步升降,
其中,所述運動組件與所述馬達機械連接,使所述馬達與所述運動組件同步連動。
8.按照權利要求7所述的方法,其特征在于,所述運動組件包含:
一轉接頭,耦接于所述導線的一末端;
一密封部,與所述轉接頭連接且密封所述導線的末端;
一波紋管,連接于所述密封部且包覆所述轉接頭;及
一運動支座,連接所述密封部且與控制所述支撐盤的馬達耦接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





