[發明專利]用于調節處理腔中電漿曲線的裝置及其控制方法

在審

• 申請號: 202011627023.7
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112736015A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 張賽謙;李健
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01J37/32
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 李丹

本發明是關于一種用于調節電漿曲線的裝置，包含一金屬調節環，其具有一內側面、一斜面及一頂面，所述斜面自該頂面向所述內側面向下延伸，所述斜面與所述頂面定義一夾角，所述夾角介于150度至120度之間。

技術領域

本發明是關于一種半導體制造的電漿處理裝置，特別是關于一種用于調節一處理腔中電漿場分布的裝置及其控制方法。

背景技術

電漿處理(或等離子處理)是用來沉積物質于一基板上以形成薄膜，像是利用已知的電漿化學氣相沉積(PECVD)方法形成介電質薄膜于基板上。在電漿處理中，影響薄膜形成的電漿分布、均勻性和密度是關鍵的。這是因為這些因素會造成在基板中央的薄膜厚度和在基板邊緣的薄膜厚度的差異。恰當的電漿分布、均勻性和密度可獲得厚度均勻的薄膜。當然，這樣的理想結果有賴于對處理過程中電漿分布曲線的調節和控制。

因此，有必要發展出能有效調節、調制或控制處理期間在處理腔中的電漿場分布的裝置及其控制方法，并在成本上亦具有優勢。

發明內容

本發明目的在于提供一種用于調節電漿曲線的裝置，包含：一金屬調節環，該金屬調節環具有一內側面、一斜面及一頂面，該斜面自該頂面向該內側面向下延伸，該斜面與該頂面定義一夾角，該夾角介于150度至120 度之間。

本發明另一目的在于提供一種用于調節電漿曲線的裝置，包含：一支撐盤，具有一承載區域及圍繞該承載區的一周圍區；及一金屬調節環，埋設于且延伸于該支撐盤的周圍區，該金屬調節環具有面向該承載區的一內側面、一斜面及一頂面，該斜面自該頂面向該內側面向下延伸，該斜面與該頂面定義一夾角，該夾角介于150度至120度之間。

在一具體實施例中，該支撐盤的周圍區具有一陶瓷環，該陶瓷環將該金屬調節環包覆于該支撐盤的周圍區中。

在一具體實施例中，該支撐盤的周圍區的至少一部分高于該承載區。

在一具體實施例中該支撐盤具有一連接器組件，該連接器組件提供一導線與該金屬調節環電性連接，使該金屬調節環經由該導線接收一直流電壓。

在一具體實施例中，該連接器組件包含：一接線套，至少部分嵌入該支撐盤并包覆該導線；一固定帽，將接線套固持于該支撐盤中；及一保護罩，至少部分延伸于該支撐盤外并包覆該接線套的至少一部分。

本發明又一目的在于提供一種用于控制所述裝置之方法，包含：以一馬達于一處理腔中升降該支撐盤；以一運動組件升降該導線，使該導線與該支撐盤同步升降。其中，該運動組件與該馬達機械連接，使該馬達與該運動組件同步連動。

在一具體實施例中，該運動組件包含：一轉接頭，連接于該導線的一末端；一密封部，與該轉接頭連接且密封該導線的末端；一波紋管，連接于該密封部且包覆該轉接頭；及一運動支座，連接該密封部且與控制該支撐盤的馬達耦接。

附圖說明

參考下列實施方式描述及圖式，將會更清楚了解到本發明的前述和其他特色及優點。

圖1顯示一半導體處理裝置的方塊示意圖。

圖2顯示本發明電漿調節裝置的一第一實施例。

圖3顯示第一實施例裝置的剖面示意圖。

圖4A及圖4B顯示本發明電漿調節裝置的一第二實施例。

圖5顯示采取本發明第二實施例的一處理腔剖面圖。

圖6顯示本發明第二實施例所包含的運動組件(連接組件)。

具體實施方式