[發(fā)明專(zhuān)利]一種基于誤差函數(shù)精度補(bǔ)償?shù)腉aN HEMT建模方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011626803.X
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112733477B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬曉華;趙子越;盧陽(yáng);易楚朋;王語(yǔ)晨;周九鼎;劉文良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G06F30/3308
• 分類(lèi)號(hào): G06F30/3308
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長(zhǎng)春

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于誤差函數(shù)精度補(bǔ)償?shù)腉aN?HEMT建模修正方法，包括：獲取原始經(jīng)驗(yàn)基模型的所有第一參數(shù)值；根據(jù)固定值改變第一參數(shù)值得到第二參數(shù)值；根據(jù)第二參數(shù)值和第二參數(shù)值對(duì)應(yīng)的第一參數(shù)值得到若干敏感參數(shù)；根據(jù)敏感參數(shù)得到不同柵壓下的敏感參數(shù)的參數(shù)值；根據(jù)柵壓和柵壓下的敏感參數(shù)的參數(shù)值得到第一經(jīng)驗(yàn)基模型；根據(jù)第一經(jīng)驗(yàn)基模型的第二擬合值和實(shí)測(cè)值得到誤差的擬合值；根據(jù)誤差的擬合值和預(yù)設(shè)誤差閾值得到第二經(jīng)驗(yàn)基模型。本發(fā)明提供了一種針對(duì)經(jīng)驗(yàn)基模型的準(zhǔn)確性修正方法，主要提升經(jīng)驗(yàn)基模型對(duì)器件直流的擬合精度，進(jìn)一步提升經(jīng)驗(yàn)基模型的大信號(hào)擬合精度，并且提升電路設(shè)計(jì)的效率和準(zhǔn)確性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于射頻功率半導(dǎo)體有源器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于誤差函數(shù)精度補(bǔ)償?shù)腉aN?HEMT建模方法。

背景技術(shù)

電子信息產(chǎn)業(yè)對(duì)于我國(guó)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，微電子技術(shù)則是該產(chǎn)業(yè)的重中之重。氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，具有禁帶寬度較寬、高電子飽和速度、高擊穿電壓等特性，在航天、雷達(dá)、通訊中得到了廣泛應(yīng)用。由于各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)了GaN?HEMT(High?Electron?Mobility?Transistor，高電子遷移率晶體管)工程化應(yīng)用的進(jìn)程。

隨著GaN?HEMT工程化應(yīng)用的發(fā)展，GaN?HEMT?MMIC(Monolithic?MicrowaveIntegrated?Circuit，單片微波集成電路)的發(fā)展也極為迅速，同時(shí)也推動(dòng)了器件建模的發(fā)展。經(jīng)驗(yàn)基模型作為緊湊模型的一種，最為廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)之中。通過(guò)電路元件對(duì)器件的物理結(jié)構(gòu)進(jìn)行模擬，并通過(guò)表達(dá)式表征器件的I-V(電流-電壓)以及電容的非線性特性，因?yàn)槠錅?zhǔn)確的擬合結(jié)果以及較塊的仿真速度，該類(lèi)模型能夠很好的應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)，近些年也得到了較好的發(fā)展。

但是，目前的GaN?HEMT經(jīng)驗(yàn)基模型的準(zhǔn)確程度還有待提高。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種基于誤差函數(shù)精度補(bǔ)償?shù)腉aN?HEMT建模方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種基于誤差函數(shù)精度補(bǔ)償?shù)腉aN?HEMT建模修正方法，其特征在于，包括：

獲取原始經(jīng)驗(yàn)基模型的所有第一參數(shù)值；

選取一所述第一參數(shù)值，根據(jù)固定值改變所述第一參數(shù)值得到第二參數(shù)值；

根據(jù)所述第二參數(shù)值和所述第二參數(shù)值對(duì)應(yīng)的所述第一參數(shù)值得到若干敏感參數(shù)；

基于梯度優(yōu)化算法，根據(jù)所述敏感參數(shù)得到不同柵壓下的所述敏感參數(shù)的參數(shù)值；

基于第一多項(xiàng)式擬合公式，根據(jù)所述柵壓和所述柵壓下的所述敏感參數(shù)的參數(shù)值得到第一經(jīng)驗(yàn)基模型；

基于第二多項(xiàng)式擬合公式，根據(jù)所述第一經(jīng)驗(yàn)基模型的第二擬合值和實(shí)測(cè)值得到誤差的擬合值；

根據(jù)所述誤差的擬合值和預(yù)設(shè)誤差閾值得到第二經(jīng)驗(yàn)基模型。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，基于參數(shù)值敏感性分析公式，根據(jù)所述第二參數(shù)值和所述第二參數(shù)值對(duì)應(yīng)的所述第一參數(shù)值得到若干敏感參數(shù)，包括：

根據(jù)所述原始經(jīng)驗(yàn)基模型和所述第二參數(shù)值得到第一擬合值；

根據(jù)所述第一擬合值和原擬合值得到若干敏感參數(shù)。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)所述原始經(jīng)驗(yàn)基模型和所述第二參數(shù)值得到第一擬合值，包括：

將所述第二參數(shù)值輸入至所述原始經(jīng)驗(yàn)基模型得到第一擬合值。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)所述第一擬合值和原擬合值得到若干敏感參數(shù)，包括：

將每個(gè)所述偏置下的所述第一擬合值和所述原擬合值求差，得到每個(gè)所述偏置下的誤差；