[發明專利]一種基于誤差函數精度補償的GaN HEMT建模方法

有效

• 申請號: 202011626803.X
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112733477B
• 公開（公告）日: 2023-08-11
• 發明（設計）人: 馬曉華;趙子越;盧陽;易楚朋;王語晨;周九鼎;劉文良
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種基于誤差函數精度補償的GaN?HEMT建模修正方法，其特征在于，包括：

獲取原始經驗基模型的所有第一參數值；

選取一所述第一參數值，根據固定值改變所述第一參數值得到第二參數值；

根據所述第二參數值和所述第二參數值對應的所述第一參數值得到若干敏感參數，具體包括：將所述第二參數值輸入至所述原始經驗基模型得到第一擬合值；將每個所述偏置下的所述第一擬合值和所述原擬合值求差，得到每個所述偏置下的誤差；根據每個所述偏置下的誤差得到所述第一參數值的改變帶來的第一變化量；根據所述第一變化量得到若干敏感參數；

基于梯度優化算法，根據所述敏感參數得到不同柵壓下的所述敏感參數的參數值；

基于第一多項式擬合公式，根據所述柵壓和所述柵壓下的所述敏感參數的參數值得到第一經驗基模型；

基于第二多項式擬合公式，根據所述第一經驗基模型的第二擬合值和實測值得到誤差的擬合值，具體包括：根據所述第一經驗基模型得到各個偏置下的第二擬合值；根據各個偏置下的所述第二擬合值和各個偏置下的實測值得到對應的誤差值；基于所述第二多項式擬合公式，根據所述誤差值擬合得到所述誤差的擬合值，所述第二多項式擬合公式為：

其中，error為誤差的擬合值，k₃₁、k₃₂、k₃₃、k₃₄、k₂₁、k₂₂、k₂₃、k₁₁、k₁₂、k₀₁為系數，V_gs為柵壓，V_ds為漏壓；

根據所述誤差的擬合值和預設誤差閾值得到第二經驗基模型。

2.根據權利要求1所述的GaN?HEMT建模方法，其特征在于，根據每個所述偏置下的誤差得到所述第一參數值的改變帶來的第一變化量，包括：

將每個偏置下的誤差取絕對值，計算所有所述偏置下的誤差的絕對值之和，得到所述第一變化量。

3.根據權利要求1所述的GaN?HEMT建模方法，其特征在于，根據所述第一擬合值和原擬合值得到若干敏感參數，包括：

基于參數值敏感性分析公式，根據所述第一參數值、所述固定值、所述第一參數值對應的原擬合值、所述第一擬合值得到若干敏感參數。

4.根據權利要求1所述的GaN?HEMT建模方法，其特征在于，所述參數值敏感性分析公式為：

ε＝[f(x+Δx)-f(x)]/(Δx/x)

其中，ε為參數敏感值，x為第一參數值、Δx為固定值，f(x)為第一參數值對應的原擬合值，f(x+Δx)為第二參數值對應的第一擬合值。

5.根據權利要求1所述的GaN?HEMT建模方法，其特征在于，所述第一多項式擬合公式為：

其中，N的取值為2～5，A_n為系數，V_gs為柵壓，Parameter為敏感參數。