[發(fā)明專利]提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法和系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011625611.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112784523A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫杰;顧學(xué)強(qiáng);周偉 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G06F30/398 | 分類號(hào)： | G06F30/398;G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;尹一凡 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 提取 cis 陣列 電路 寄生 電阻 電容 方法 系統(tǒng) | ||
1.一種提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，包括：
步驟S01：根據(jù)電路設(shè)計(jì)規(guī)則輸出初始網(wǎng)表，所述初始網(wǎng)表具有耦連的第一電路和第二電路，所述第一電路包括耦連的1個(gè)主單元和N個(gè)子單元，所述子單元復(fù)制所述主單元，N為大于或等于0的整數(shù)；
步驟S02：根據(jù)所述初始網(wǎng)表生成初始版圖，所述初始版圖包括主單元初始版圖、N個(gè)子單元初始版圖和第二電路初始版圖；
步驟S03：添加標(biāo)識(shí)至所述主單元初始版圖、所述子單元初始版圖和所述第二電路初始版圖；
步驟S04：根據(jù)所述主單元初始版圖生成具有第一寄生參數(shù)的第一寄生網(wǎng)表，以及根據(jù)所述第二電路初始版圖生成具有第二寄生參數(shù)的第二寄生網(wǎng)表；
步驟S05：根據(jù)所述標(biāo)識(shí)混合所述第一寄生網(wǎng)表和所述第二寄生網(wǎng)表，生成混合寄生網(wǎng)表；其中，
所述第一寄生參數(shù)包括所述主單元的主單元寄生參數(shù)；所述第二寄生參數(shù)包括所述第二電路的第二電路寄生參數(shù)、所述主單元與所述子單元之間以及與所述第二電路之間的引腳信息。
2.如權(quán)利要求1所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第一寄生網(wǎng)表的生成包括：
步驟S04-11：對(duì)所述主單元初始版圖執(zhí)行第一檢查，并生成主單元第一版圖；
步驟S04-12：對(duì)所述主單元第一版圖執(zhí)行第一提取，生成所述第一寄生參數(shù)和初始第一寄生網(wǎng)表；
步驟S04-13：復(fù)制N個(gè)所述初始第一寄生網(wǎng)表并與所述初始第一寄生網(wǎng)表拼接，生成所述第一寄生網(wǎng)表。
3.如權(quán)利要求2所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第一檢查包括第一LVS檢查；所述第一提取包括三維場(chǎng)解析提取；所述主單元寄生參數(shù)包括所述主單元與所述子單元之間的耦合電容、所述主單元的寄生電阻和寄生電容中的一個(gè)或兩個(gè)。
4.如權(quán)利要求3所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第一檢查包括：對(duì)所述主單元初始版圖執(zhí)行第一LVS檢查并生成主單元LVS網(wǎng)表，對(duì)比所述主單元LVS網(wǎng)表和所述初始網(wǎng)表以調(diào)整所述主單元初始版圖，生成所述主單元第一版圖。
5.如權(quán)利要求3所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第一檢查還包括DRC檢查；先執(zhí)行所述DRC檢查，再執(zhí)行所述第一LVS檢查。
6.如權(quán)利要求1所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第二寄生網(wǎng)表的生成包括：
步驟S04-21：對(duì)所述主單元初始版圖、所述子單元初始版圖和所述第二電路初始版圖執(zhí)行第二檢查，并生成主單元第二版圖、子單元第一版圖、第二電路第一版圖和初始第二寄生網(wǎng)表；
步驟S04-22：對(duì)所述第二電路第一版圖執(zhí)行第二提取，生成第二寄生參數(shù)；添加所述第二寄生參數(shù)至所述初始第二網(wǎng)表生成第二寄生網(wǎng)表。
7.如權(quán)利要求6所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述第二檢查包括第二LVS檢查；所述第二提取包括版圖模型匹配提取。
8.如權(quán)利要求1所述的提取CIS像元陣列電路寄生電阻電容的方法，其特征在于，所述標(biāo)識(shí)包括文本標(biāo)識(shí)和連接關(guān)系標(biāo)識(shí)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司，未經(jīng)上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司;上海集成電路研發(fā)中心有限公司;成都微光集電科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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