[發(fā)明專(zhuān)利]一種外延基座以及外延設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011623530.3
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114686975A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于源源;曹共柏;潘帥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B25/12
• 分類(lèi)號(hào): C30B25/12;C30B25/10;H01J37/32
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 馮永貞

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種外延基座以及外延設(shè)備。所述外延基座包括基座主體，所述基座主體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設(shè)置有用于承載外延基底的凹槽，所述凹槽外側(cè)的所述基座主體包括相互交替設(shè)置的若干第一區(qū)域和若干第二區(qū)域；其中，所述第一區(qū)域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二區(qū)域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一區(qū)域的厚度大于所述第二區(qū)域的厚度，以使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域配置為具有不同的熱輻射。所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域配置為具有不同的熱輻射，使晶圓基座周邊溫度分布產(chǎn)生不同來(lái)補(bǔ)償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達(dá)到最終生成出的外延層周邊厚度波動(dòng)減小，使外延層的厚度更加均一。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及外延生長(zhǎng)領(lǐng)域，具體而言涉及一種外延基座以及外延設(shè)備。

背景技術(shù)

在外延生長(zhǎng)工藝中，外延的周邊一圈厚度不可避免的會(huì)受到晶圓周邊晶向的影響，進(jìn)而導(dǎo)致周邊不同晶向處生長(zhǎng)的外延厚度不同。所述現(xiàn)象直接導(dǎo)致了外延之后周邊一圈局部平整度(Site Front Quotient Range,簡(jiǎn)稱(chēng)“SFQR”)存在固定差異。

因此，需要對(duì)目前的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)，以消除上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N外延基座，所述外延基座包括基座主體，所述基座主體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設(shè)置有用于承載外延基底的凹槽，所述凹槽外側(cè)的所述基座主體包括相互交替設(shè)置的若干第一區(qū)域和若干第二區(qū)域；

其中，所述第一區(qū)域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二區(qū)域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一區(qū)域的厚度大于所述第二區(qū)域的厚度，以使所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域配置為具有不同的熱輻射。

可選地，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的熱輻射系數(shù)的范圍為0.01～0.99。

可選地，在所述凹槽外側(cè)的所述基座主體的圓周上圓心角為0°～30°、60°～120°、150°～210°、240°～300°和330°～360°的區(qū)域中至少一個(gè)設(shè)置為所述第一區(qū)域。

可選地，所述基座主體上設(shè)置有多個(gè)所述第一區(qū)域，多個(gè)所述第一區(qū)域的熱輻射配置為相同或不同。

可選地，所述第一區(qū)域的所述第一表面的表面粗糙度為0.01um～5mm。

可選地，所述第一區(qū)域的所述第一表面具有相鄰設(shè)置的波峰和波谷。

可選地，在所述第一區(qū)域的所述第二表面設(shè)置有輻射層，配置為使所述第一區(qū)域的厚度大于所述第二區(qū)域的厚度。

可選地，所述輻射層的厚度范圍為0.1um～5mm。

可選地，所述基座主體上設(shè)置有多個(gè)所述第一區(qū)域，多個(gè)所述第一區(qū)域的輻射層的厚度配置為相同或不同。

本申請(qǐng)還提供了一種外延設(shè)備，所述外延設(shè)備包括前文所述的外延基座。

為了解決目前存在的技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N外延基座，所述外延基座包括基座主體，在所述基座主體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設(shè)置有用于承載外延基底的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽外側(cè)所述基座主體包括相互交替設(shè)置的若干第一區(qū)域和若干第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域配置為具有不同的熱輻射，進(jìn)而達(dá)到周邊溫度在不同區(qū)域位置產(chǎn)生差異，使晶圓基座周邊溫度分布產(chǎn)生不同來(lái)補(bǔ)償因晶圓晶向造成的厚度差異，以達(dá)到最終生成出的外延層周邊厚度波動(dòng)減小，使外延層的厚度更加均一。

附圖說(shuō)明

本申請(qǐng)的下列附圖在此作為本申請(qǐng)的一部分用于理解本申請(qǐng)。附圖中示出了本申請(qǐng)的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本申請(qǐng)的裝置及原理。在附圖中，

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的外延基座的俯視示意圖；

圖2為本申請(qǐng)一實(shí)施例中所述外延基座的俯視示意圖；