[發明專利]一種外延基座以及外延設備在審
| 申請號： | 202011623530.3 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN114686975A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發明（設計）人： | 于源源;曹共柏;潘帥 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/12 | 分類號： | C30B25/12;C30B25/10;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 馮永貞 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 外延 基座 以及 設備 | ||
1.一種外延基座，其特征在于，所述外延基座包括基座主體，所述基座主體包括相對設置的第一表面和第二表面，在所述第一表面上設置有用于承載外延基底的凹槽，所述凹槽外側的所述基座主體包括相互交替設置的若干第一區域和若干第二區域；
其中，所述第一區域的所述第一表面呈粗糙表面，所述第二區域的所述第一表面呈平滑表面；和/或所述第一區域的厚度大于所述第二區域的厚度，以使所述第一區域和所述第二區域配置為具有不同的熱輻射。
2.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述第一區域和所述第二區域的熱輻射系數的范圍為0.01～0.99。
3.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，在所述凹槽外側的所述基座主體的圓周上圓心角為0°～30°、60°～120°、150°～210°、240°～300°和330°～360°的區域中至少一個設置為所述第一區域。
4.根據權利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述基座主體上設置有多個所述第一區域，多個所述第一區域的熱輻射配置為相同或不同。
5.根據權利要求1至4之一所述的外延基座，其特征在于，所述第一區域的所述第一表面的表面粗糙度為0.01um～5mm。
6.根據權利要求5所述的外延基座，其特征在于，所述第一區域的所述第一表面具有相鄰設置的波峰和波谷。
7.根據權利要求1至4之一所述的外延基座，其特征在于，在所述第一區域的所述第二表面設置有輻射層，配置為使所述第一區域的厚度大于所述第二區域的厚度。
8.根據權利要求7所述的外延基座，其特征在于，所述輻射層的厚度范圍為0.1um～5mm。
9.根據權利要求7所述的外延基座，其特征在于，所述基座主體上設置有多個所述第一區域，多個所述第一區域的輻射層的厚度配置為相同或不同。
10.一種外延設備，其特征在于，所述外延設備包括權利要求1至9之一所述的外延基座。
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