[發明專利]底發射量子點發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011621785.6
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695691A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 鄧承雨
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;謝松

本發明公開一種底發射量子點發光二極管及其制備方法。底發射量子點發光二極管包括依次層疊設置的第一聚合物薄膜、無機化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一電極、量子點發光層和第二電極；第一電極的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞無機化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空氣的折射率。本發明通過在基底與第一電極之間引入一層折射率介于基底與第一電極之間的第二聚合物薄膜過渡，可以減少器件發出的光進行漫反射和反射，提高器件的出光率。另外，通過在基底與空氣接觸的外側引入一層無機化合物薄膜和第一聚合物薄膜，可以將折射率降低至與空氣折射率接近，進一步提高器件的出光率，且避免了出現炫屏的現象。

技術領域

本發明涉及量子點發光二極管領域，尤其涉及底發射量子點發光二極管及其制備方法。

背景技術

折射率對于光學器件結構設計等光學應用非常重要，聚合物材料以其獨特的折射率特性和良好的光學透明度廣泛地應用于太陽能電池和隱形裝置的反射涂層上。基于聚合物材料具有優異的機械強度，重量輕，成本低和易加工的特點，未來具備了代替傳統無機光學折射材料的潛力。

QLED(量子點發光二極管)底發射器件出光效率除了受器件內部材料和材料自身能級結構影響外，還與器件的輸出耦合效率有關。典型的QLED底發射器件包括金屬電極、多層薄膜材料、透明ITO電極及玻璃基底四個部分。由于器件內部材料折射率與空氣的折射率差異很大，當光從高折射率材料向低折射率材料傳播時，從器件內部發出的部分光因經全反射，而不能發射到空氣中，導致器件存在出光率低的問題。因此現有技術中通過增加光學微腔結構來提高器件出光率。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種底發射量子點發光二極管及其制備方法，旨在解決現有底發射量子點發光二極管出光率低的問題。

本發明的技術方案如下：

本發明的第一方面，提供一種底發射量子點發光二極管，其中，包括依次層疊設置的第一聚合物薄膜、無機化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一電極、量子點發光層和第二電極；其中，第一電極的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞無機化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空氣的折射率。

可選地，第一電極的折射率為1.90-2.00，第二聚合物薄膜的折射率為1.60-1.80，基底的折射率為1.50-1.60，無機化合物薄膜的折射率為1.35-1.45，第一聚合物薄膜的折射率為1.15-1.30。

可選地，第一聚合物薄膜的厚度為30-50nm。

可選地，第一聚合物為含金屬的聚合物，含金屬的聚合物選自聚丙烯酸鋯、聚丙烯酸釔、聚丙烯酸鈮、聚丙烯酸鉬、聚丙烯酸釕、聚鋯羧乙基丙烯酸酯、聚釔羧乙基丙烯酸酯、聚鈮羧乙基丙烯酸酯、聚鉬羧乙基丙烯酸酯、聚釕羧乙基丙烯酸酯、聚鋯羧丙基丙烯酸酯、聚釔羧丙基丙烯酸酯、聚鈮羧丙基丙烯酸酯、聚鉬羧丙基丙烯酸酯和聚釕羧丙基丙烯酸酯中的一種或多種。

可選地，無機化合物薄膜的厚度為40-60nm。

可選地，無機化合物選自二氧化硅、氧化鎂和氟化鎂中的一種或多種。

可選地，第二聚合物薄膜的厚度為20-30nm。

可選地，第二聚合物選自聚對苯二甲酸乙二醇酯、三乙酰纖維素、聚對苯二甲酸二甲酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯中的一種或多種。

可選地，第一電極的材料選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鋁和氧化銦鎵中的一種或多種；

和/或，基底選自玻璃基底、聚酰亞胺基底、聚異戊二烯基底、聚二甲基硅氧烷基底、硅樹脂基底和四氟乙烯基底中的一種。

本發明的第二方面，提供一種本發明所述的底發射量子點發光二極管的制備方法，其中，包括步驟：