[發(fā)明專利]底發(fā)射量子點發(fā)光二極管及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114695691A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設計）人: 鄧承雨
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 劉芙蓉;謝松

1.一種底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，包括依次層疊設置的第一聚合物薄膜、無機化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一電極、量子點發(fā)光層和第二電極；其中，第一電極的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞無機化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空氣的折射率。

2.根據(jù)權利要求1所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第一電極的折射率為1.90-2.00，第二聚合物薄膜的折射率為1.60-1.80，基底的折射率為1.50-1.60，無機化合物薄膜的折射率為1.35-1.45，第一聚合物薄膜的折射率為1.15-1.30。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第一聚合物薄膜的厚度為30-50nm。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第一聚合物為含金屬的聚合物，含金屬的聚合物選自聚丙烯酸鋯、聚丙烯酸釔、聚丙烯酸鈮、聚丙烯酸鉬、聚丙烯酸釕、聚鋯羧乙基丙烯酸酯、聚釔羧乙基丙烯酸酯、聚鈮羧乙基丙烯酸酯、聚鉬羧乙基丙烯酸酯、聚釕羧乙基丙烯酸酯、聚鋯羧丙基丙烯酸酯、聚釔羧丙基丙烯酸酯、聚鈮羧丙基丙烯酸酯、聚鉬羧丙基丙烯酸酯和聚釕羧丙基丙烯酸酯中的一種或多種。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，無機化合物薄膜的厚度為40-60nm。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，無機化合物選自二氧化硅、氧化鎂和氟化鎂中的一種或多種。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第二聚合物薄膜的厚度為20-30nm。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第二聚合物選自聚對苯二甲酸乙二醇酯、三乙酰纖維素、聚對苯二甲酸二甲酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯中的一種或多種。

9.根據(jù)權利要求1或2所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管，其特征在于，第一電極的材料選自氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化銦鋁和氧化銦鎵中的一種或多種；

和/或，基底選自玻璃基底、聚酰亞胺基底、聚異戊二烯基底、聚二甲基硅氧烷基底、硅樹脂基底和四氟乙烯基底中的一種。

10.一種如權利要求1-9任一項所述的底發(fā)射量子點發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：

在基底的第一表面上形成無機化合物薄膜；

在無機化合物薄膜上形成第一聚合物薄膜；

在基底的與第一表面相對的第二表面上形成第二聚合物薄膜；

在第二聚合物薄膜上形成第一電極；

在第一電極上形成量子點發(fā)光層；

在量子點發(fā)光層上形成第二電極。