[發明專利]一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關在審
| 申請號: | 202011621144.0 | 申請日: | 2020-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN112838852A | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇 | 申請(專利權)人: | 重慶百瑞互聯電子技術有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/94 | 分類號: | H03K17/94 |
| 代理公司: | 北京國科程知識產權代理事務所(普通合伙) 11862 | 代理人: | 曹曉斐 |
| 地址: | 401120 重慶市渝北區*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 隔離 插入損耗 全差分 單刀 開關 | ||
本發明公開了一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關,屬于集成電路技術領域。該方法主要包括主開關模塊,用于通過控制全差分單刀單擲開關的通斷,控制全差分單刀單擲開關對射頻信號的傳輸;交叉開關模塊,用于向主開關模塊提供反相位射頻信號,以對主開關模塊在關閉狀態下的寄生射頻耦合信號進行補償。本發明的全差分單刀單擲開關具有高線性度和較寬的帶寬,且能夠在保證全差分單刀單擲開關具有高隔離度的同時保證全差分單刀單擲開關具有低插入損耗。
技術領域
本發明涉及集成電路技術領域,特別涉及一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關。
背景技術
傳統的串并聯SPST拓撲在射頻和毫米波頻率下受到開關晶體管面積的限制。射頻端口在關閉狀態下具有高隔離度時,在開啟狀態下不一定具有低插入損耗;當射頻端口在開啟狀態下具有低插入損耗時,在關閉狀態下不一定具有高隔離度。即射頻端口的高隔離度和低插入損耗無法同時實現。
發明內容
針對現有技術存在的問題,本發明主要提供一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關。
為了實現上述目的,本發明采用的一個技術方案是:提供一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關,其包括:主開關模塊,用于通過控制全差分單刀單擲開關的通斷,控制全差分單刀單擲開關對射頻信號的傳輸;交叉開關模塊,用于向主開關模塊提供反相位射頻信號,以對主開關模塊在關閉狀態下的寄生射頻耦合信號進行補償。
本發明的技術方案可以達到的有益效果是:本發明設計了一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關。該全差分單刀單擲開關具有高線性度和較寬的帶寬,且能夠在保證全差分單刀單擲開關具有高隔離度的同時保證全差分單刀單擲開關具有低插入損耗。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發明一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關的一個具體實施方式的示意圖;
圖2是本發明一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關的一個具體實施例的示意圖。
附圖2中的各部件標記如下:M1-第一晶體管,M2-第二晶體管,M3-第三晶體管,M4-第四晶體管,R1-第一電阻,R2-第二電阻,R3-第三電阻,R4-第四電阻,RFin-輸入射頻信號端,RFout-輸出射頻信號端。
通過上述附圖,已示出本發明確的實施例,后文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述并不是為了通過任何方式限制本公開構思的范圍,而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本發明的概念。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述,以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解,從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
需要說明的是,在本文中,諸如第一和第二等之類的關系術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來,而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關系或者順序。而且,術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
下面以具體地實施例對本發明的技術方案以及本申請的技術方案如何解決上述技術問題進行詳細說明。下面這幾個具體的實施例可以相互結合,對于相同或相似的概念或過程可能在某些實施例中不再贅述。
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