[發明專利]一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關在審
| 申請號： | 202011621144.0 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112838852A | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發明（設計）人： | 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇 | 申請（專利權）人： | 重慶百瑞互聯電子技術有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/94 | 分類號： | H03K17/94 |
| 代理公司： | 北京國科程知識產權代理事務所(普通合伙) 11862 | 代理人： | 曹曉斐 |
| 地址： | 401120 重慶市渝北區*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 隔離 插入損耗 全差分 單刀 開關 | ||
1.一種具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，包括：
主開關模塊，用于控制全差分單刀單擲開關對射頻信號的傳輸；
交叉開關模塊，用于向所述主開關模塊提供反相位射頻信號，以對所述主開關模塊在關閉狀態下的寄生射頻耦合信號進行補償。
2.如權利要求1所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，
所述主開關模塊包括第一晶體管、第四晶體管、第一電阻和第四電阻；
所述交叉開關模塊包括第二晶體管、第三晶體管、第二電阻和第三電阻。
3.如權利要求2所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，所述主開關模塊包括，
所述第一晶體管的柵極連接所述第一電阻，所述第一晶體管的源極連接射頻信號的輸入端口，所述第一晶體管的漏極連接射頻信號的輸出端口，且所述第一晶體管的源極和所述第一晶體管的漏極分別連接所述交叉開關模塊；
所述第四晶體管的柵極連接所述第四電阻，所述第四晶體管的源極連接反相位射頻信號的輸入端口，所述第四晶體管的漏極連接反相位射頻信號的輸出端口，且所述第四晶體管的源極和所述第四晶體管的漏極分別連接所述交叉開關模塊。
4.如權利要求3所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，所述交叉開關模塊包括，
所述第二晶體管的柵極連接第二電阻，所述第二晶體管的源極連接所述第一晶體管的源極，所述第二晶體管的漏極連接所述第四晶體管的漏極；
所述第三晶體管的柵極連接第三電阻，所述第三晶體管的源極連接所述第四晶體管的源極，所述第三晶體管的漏極連接所述第一晶體管的漏極。
5.如權利要求4所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，
所述第二晶體管和所述第三晶體管處于關閉狀態。
6.如權利要求4所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，
所述第一晶體管和所述第四晶體管處于關閉狀態，所述第二晶體管和所述第三晶體管處于打開狀態。
7.如權利要求2所述的具有高隔離度低插入損耗的全差分單刀單擲開關，其特征在于，
所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管和所述第四晶體管是CMOS型晶體管。
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