[發明專利]掩膜裝置及其制備方法

在審

• 申請號: 202011621127.7
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN114038749A
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發明（設計）人: 李松舉;孫賢文;付東
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 王南杰

本發明公開了一種掩膜裝置及其制備方法。本發明的掩膜裝置包括掩膜框架以及掩膜主體；所述掩膜框架具有掩膜表面以及掩膜底面，所述掩膜框架的內壁具有用于承托所述掩膜主體的凹臺結構，所述掩膜主體具有鏤空的鍍膜區域，所述掩膜主體具有第一表面以及第二表面，所述第二表面具有引流緩沖槽，所述第二表面具有第二覆膜，所述掩膜主體配合于所述凹臺結構并與所述掩膜框架連接，所述第二表面與所述凹臺結構接觸配合，所述第一表面與所述掩膜表面朝向一致，所述第一表面和/或所述掩膜表面上具有第一覆膜。本發明的掩膜裝置能夠極大程度上減少反應物沉積在襯底，掩膜能力高，降低原子層沉積技術中的陰影效應。

技術領域

本發明涉及顯示領域，特別是涉及一種掩膜裝置及其制備方法。

背景技術

當前的半導體及顯示器件制造中，ALD(原子層沉積)技術以其可低溫、可獲得高致密性薄膜、沉積均勻性、重復性好、沉積薄膜種類廣泛等特點，成為沉積薄膜材料最理想的方法之一。在TFT制程中，ALD技術可以沉積有源層(非晶硅、IGZO、多晶硅)、無機絕緣層及鈍化層等；在OLED的封裝制程中，ALD技術可以沉積水氧阻擋層，用于薄膜封裝，使用ALD技術來沉積水氧阻擋層時，通常都為絕緣薄膜，例如氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、氧化鎂、氧化硅、氮化硅及其復合材料等。這些絕緣薄膜覆是蓋在OLED器件(通常是金屬電極或保護層)上面，可以有效阻擋外界環境中的水氧入侵，防止OLED器件失效，壽命降低。然而，一個顯示器件不僅包括OLED器件，還包括線路區域，這些線路區域用于連接外接電源、信號，其中需要綁定集成芯片或柔性集成電路板到顯示器件的襯底邊緣位置稱為綁定區域(Bonding區域)，這個綁定區域上的線路需要外露出來以實現與集成芯片或柔性集成電路板形成良好的電性連接。因此，使用ALD技術來沉積水氧阻擋層時，需要控制水氧阻擋層的沉積范圍，使水氧阻擋層不會覆蓋到綁定區域，但是，ALD技術來沉積水氧阻擋層是整面性的，因此需要增加一塊掩膜版到顯示器件的襯底上，阻擋水氧阻擋層沉積到綁定區域。掩膜版包括框架與薄片，其中框架起到支撐作用，框架與承載襯底的臺板接觸，薄片鑲嵌至框架邊緣上，利用框架及薄片自身的剛性使薄片與框架邊緣幾乎在同一個水平面上。薄片的作用是通過將其放置在顯示器件上方，遮擋ALD工藝產生的反應物，使ALD的反應物不會沉積在被遮擋的部分，從而起到掩膜的作用。

現有技術中常用的封裝方案是將掩膜版的框架與ALD腔室內的臺板接觸，通過改變臺板上墊塊的厚度，來調整掩膜版的薄片與臺板之間的間隙高度。間隙高度應該控制在顯示器件的厚度范圍內，例如，當顯示器件的厚度為0.5mm時，則間隙高度應控制在0.5mm。這樣薄片才能較好地與顯示器件接觸，阻擋ALD的反應物沉積在被掩膜的區域；當間隙高度過大，則ALD的反應物容易沉積到薄片與臺板之間的間隙內，從而使得被掩膜的區域實際上沉積了反應物；當間隙高度過小，則容易被顯示器件頂起造成形變，且也容易使間隙內沉積不需要的反應物，導致陰影效應(陰影效應指不應沉積的地方仍然會有反應物沉積在襯底上)，進一步地導致在封裝時，顯示器件邊緣用于連接集成芯片或者柔性集成電路板的綁定區域須遠離封裝區域，從而使得顯示器件無法做成窄邊框，影響顯示效果。

發明內容

基于此，有必要提供一種掩膜裝置及其制作方法。本發明的掩膜裝置能夠極大程度上減少反應物沉積在襯底，掩膜能力高，降低原子層沉積技術中的陰影效應。

一種掩膜裝置，包括掩膜框架以及掩膜主體；所述掩膜框架具有掩膜表面以及掩膜底面，所述掩膜框架的內壁具有用于承托所述掩膜主體的凹臺結構，所述掩膜主體具有鏤空的鍍膜區域，所述掩膜主體具有第一表面以及第二表面，所述第二表面具有引流緩沖槽，所述第二表面具有第二覆膜，所述掩膜主體通過部分所述第二表面配合于所述凹臺結構并與所述掩膜框架連接，所述第一表面與所述掩膜表面朝向一致，所述第一表面和/或所述掩膜表面上具有第一覆膜。

在其中一個實施例中，所述引流緩沖槽為環繞所述鍍膜區域的環形槽。

在其中一個實施例中，所述引流緩沖槽由槽底面至槽口方向逐漸收窄。

在其中一個實施例中，所述引流緩沖槽的深度為所述掩膜主體厚度的1/3～1/2。