[發(fā)明專利]掩膜裝置及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011621127.7
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN114038749A
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李松舉;孫賢文;付東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/308
• 分類號(hào): H01L21/308
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 王南杰

1.一種掩膜裝置，其特征在于，包括掩膜框架以及掩膜主體；所述掩膜框架具有掩膜表面以及掩膜底面，所述掩膜框架的內(nèi)壁具有用于承托所述掩膜主體的凹臺(tái)結(jié)構(gòu)，所述掩膜主體具有鏤空的鍍膜區(qū)域，所述掩膜主體具有第一表面以及第二表面，所述第二表面具有引流緩沖槽，所述第二表面具有第二覆膜，所述掩膜主體通過部分所述第二表面配合于所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)并與所述掩膜框架連接，所述第一表面與所述掩膜表面朝向一致，所述第一表面和/或所述掩膜表面上具有第一覆膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜裝置，其特征在于，所述引流緩沖槽為環(huán)繞所述鍍膜區(qū)域的環(huán)形槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜裝置，其特征在于，所述引流緩沖槽由槽底面至槽口方向逐漸收窄。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜裝置，其特征在于，所述引流緩沖槽的深度為所述掩膜主體厚度的1/3～1/2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述引流緩沖槽的數(shù)量為多個(gè)，相鄰的所述引流緩沖槽之間均具有間隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述第一覆膜為電鍍鍍層、納米涂層、有機(jī)鍍層、氧化層以及濺射鍍層中的一種或幾種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述第二覆膜為親水性鍍層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的深度與所述掩膜主體的厚度相等，以使得所述第一表面與所述掩膜表面齊平。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的寬度為1～10mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述第一表面與所述第二表面之間的厚度為0.05～2mm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的掩膜裝置，其特征在于，所述鏤空區(qū)域包括多個(gè)鏤空子區(qū)域。

12.一種掩膜裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

制備具有鏤空區(qū)域以及環(huán)繞至少部分所述鏤空區(qū)域的凹臺(tái)結(jié)構(gòu)的掩膜框架；

對(duì)掩膜基板的第一表面進(jìn)行第一半蝕刻處理形成凹槽，對(duì)所述掩膜基板的第二表面進(jìn)行第二半蝕刻處理以貫通所述凹槽形成鏤空的鍍膜區(qū)域，以及在所述第二表面的至少部分非鏤空區(qū)域形成引流緩沖槽；

在所述第二表面以及所述引流緩沖槽的內(nèi)壁上制備第二覆膜，得到掩膜主體；

將所述掩膜主體安裝于所述掩膜框架內(nèi)，且所述第二表面與所述凹臺(tái)結(jié)構(gòu)接觸配合，連接所述掩膜主體以及所述掩膜框架；

在所述第一表面的至少部分非鏤空區(qū)域和/或所述掩膜框架的至少部分掩膜表面制備第一覆膜。