[發(fā)明專利]一種字線建立方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011620648.0 | 申請日： | 2020-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN112735497A | 公開（公告）日： | 2021-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 馮國友 | 申請（專利權(quán)）人： | 普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/08 | 分類號： | G11C16/08;G06F13/42 |
| 代理公司： | 上海元好知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31323 | 代理人： | 包姝晴;曹媛 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 建立 方法 | ||
1.一種字線建立方法，其特征在于，包括：
根據(jù)字節(jié)的位數(shù)將存儲器中每一存儲單元中的字線劃分為若干頁；
在所述字線的首頁和所述首頁的相鄰頁之間連接字線緩沖電路，以加快所述字線的建立速度。
2.如權(quán)利要求1所述的字線建立方法，其特征在于，所述字線緩沖電路包括：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2；
所述第一PMOS管MP1的柵極與所述字線的首頁的輸出端連接；
所述第一PMOS管MP1的源極與所述第二PMOS管MP2的源極連接；
所述第一PMOS管MP1的漏極分別與所述第二PMOS管MP2的柵極和所述第二NMOS管MN2的柵極連接；
所述第二PMOS管MP2的漏極與所述字線的首頁的相鄰頁的輸入端連接；
所述第一NMOS管MN1的柵極與所述字線的首頁的輸出端連接；
所述第一NMOS管MN1的源極與所述第二NMOS管MN2的源極連接；
所述第一NMOS管MN1的漏極分別與所述第二PMOS管MP2的柵極和所述第二NMOS管MN2的柵極連接；
所述第二NMOS管MN2的漏極與所述字線的首頁的相鄰頁的輸入端連接。
3.如權(quán)利要求2所述的字線建立方法，其特征在于，還包括：
將行解碼電路與所述字線的首頁的輸入端連接，以對輸入的行地址信號進行解碼并選擇對應(yīng)的所述字線。
4.如權(quán)利要求3所述的字線建立方法，其特征在于，還包括：
將驅(qū)動電路的輸入端與所述行解碼電路連接，所述驅(qū)動電路的輸出端與所述字線的首頁的輸入端連接，以對解碼后的所述行地址信號進行放大處理。
5.如權(quán)利要求1所述的字線建立方法，其特征在于，所述字線的每一所述頁存儲一個比特。
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