[發(fā)明專利]蒸鍍裝置及蒸鍍方法

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• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112813383A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 趙文炎;王彥青
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/54;H01L51/00;H01L51/56
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 娜拉

1.一種蒸鍍裝置，其特征在于，包括：

掩膜板、蒸鍍源以及監(jiān)測設備，所述蒸鍍源通過所述掩膜板對待蒸鍍基板進行蒸鍍，所述監(jiān)測設備用于監(jiān)測所述待蒸鍍基板靠近所述掩膜板一側表面的殘留物。

2.根據(jù)權利要求1所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述監(jiān)測設備包括至少一組發(fā)射器和接收器；

所述發(fā)射器用于向所述掩膜板和所述待蒸鍍基板之間的間隙發(fā)射檢測波，所述接收器用于接收所述檢測波以判斷所述殘留物的高度是否超過預設值。

3.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述接收器接收所述殘留物反射的所述檢測波。

4.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述檢測波與所述待蒸鍍基板之間最短距離為L，所述掩膜板和所述待蒸鍍基板之間的間隙距離為H，所述最短距離L和間隙距離H之間滿足以下關系式(1)：

L/H＝K 式(1)

其中，距離比值K的取值范圍是0.05至0.5；

優(yōu)選的，所述距離比值K的取值范圍是0.05至0.2；

優(yōu)選的，所述間隙距離H的取值范圍是10微米至100微米；

優(yōu)選的，所述最短距離L的取值范圍是5微米至10微米。

5.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述發(fā)射器發(fā)射紅外線或超聲波。

6.根據(jù)權利要求2所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述監(jiān)測設備還包括信息處理裝置，用于根據(jù)所述接收器接收的所述檢測波判斷所述殘留物的高度是否超過預設值，當所述殘留物的高度超過所述預設值，所述信息處理裝置發(fā)出報警指令；

報警器，用于接收所述報警指令并發(fā)出警報。

7.根據(jù)權利要求6所述的蒸鍍裝置，其特征在于，所述監(jiān)測設備還包括控制模塊，所述控制模塊用于接收所述報警指令并控制所述蒸鍍裝置停止工作。

8.一種蒸鍍方法，其特征在于，所述蒸鍍方法包括：

固定待蒸鍍基板、并提供掩膜板與所述待蒸鍍基板進行對位放置；

在所述待蒸鍍基板與所述掩膜板之間保持預設間隙的工藝條件下，利用蒸鍍源使蒸鍍材料通過所述掩膜板蒸鍍到所述待蒸鍍基板；

利用監(jiān)測設備對所述待蒸鍍基板靠近掩膜板一側表面的殘留物進行監(jiān)測；

根據(jù)所述殘留物的監(jiān)測數(shù)據(jù)確定是否停止使用當前所述掩膜板持續(xù)蒸鍍作業(yè)。

9.根據(jù)權利要求8所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述利用監(jiān)測設備對所述待蒸鍍基板靠近掩膜板一側表面的殘留物進行監(jiān)測的步驟中，包括：

向位于所述預設間隙的第一平面內發(fā)射檢測波，并接收所述檢測波，以根據(jù)接收的所述檢測波判斷所述殘留物的高度是否超過預設值；

優(yōu)選的，所述第一平面與所述待蒸鍍基板靠近所述掩膜板一側表面之間具有第一預設距離L’，所述第一預設距離L’與所述預設間隙的寬度H’的比值K’的取值范圍是0.05至0.5。

10.根據(jù)權利要求9所述的蒸鍍方法，其特征在于，所述根據(jù)所述殘留物的監(jiān)測數(shù)據(jù)確定是否停止使用當前所述掩膜板持續(xù)蒸鍍作業(yè)的步驟中，

根據(jù)所述接收的所述檢測波確定所述殘留物的高度超過預設值時，控制蒸鍍過程停止，

采用新的掩膜板替換當前所述掩膜板；或者，對當前所述掩膜板進行清洗。