[發(fā)明專利]芯片封裝的框架結構及半導體器件

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011618176.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112635428A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 孟繁均
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31
• 代理公司: 杭州鈐韜知識產權代理事務所(普通合伙) 33329
• 代理人: 唐靈;趙杰香

1.一種用于芯片封裝的框架結構，其特征在于，包括：

基島；

多個第一焊盤，設置于所述基島的周邊；以及

多個第二焊盤，設置于所述基島的周邊，所述第二焊盤的面積大于所述第一焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤上，設有鍍銀層；

至少一個所述第二焊盤具有第一開槽，其中所述第二焊盤包括第一分焊盤及第二分焊盤，所述第一開槽設置于所述第一分焊盤及所述第二分焊盤之間，使得鍍銀時，所述第二焊盤上的鍍銀層被約束在所述第一分焊盤和所述第二分焊盤的部分區(qū)域上。

2.根據(jù)權利要求1所述的框架結構，其特征在于，所述第一開槽采用全刻蝕工藝形成。

3.根據(jù)權利要求1所述的框架結構，其特征在于，所述第一開槽部分的截斷第一分焊盤及第二分焊盤，所述第一分焊盤和所述第二分焊盤具有公共域，或者所述第一分焊盤和所述第二分焊盤之間被所述第一開槽完全截斷。

4.根據(jù)權利要求1所述的框架結構，其特征在于，還包括：

第二開槽，設置于所述基島與所述第二焊盤間，并毗鄰所述第二焊盤設置。

5.根據(jù)權利要求4所述的框架結構，其特征在于，所述第二開槽采用半刻蝕工藝形成，使得所述第二焊盤靠近所述基島的區(qū)域形成半鏤空區(qū)。

6.根據(jù)權利要求1所述的框架結構，其特征在于，所述第一焊盤和所述第二焊盤上設有引腳，所述引腳通過半刻蝕工藝制作而成，該引腳的高度高于所述第一焊盤和所述第二焊盤用于作為第二焊點的焊接區(qū)。

7.一種半導體器件，其特征在于，包括：

框架結構，包括；

基島；

多個第一焊盤，設置于所述基島的周邊；以及

多個第二焊盤，設置于所述基島的周邊，所述第二焊盤的面積大于所述第一焊盤，其中，至少一個所述第二焊盤具有第一開槽；

芯片，設置于所述框架結構的所述基島上；

鍍銀層，設置在所述第一焊盤及所述第二焊盤上；

引線，具有第一端、第二端，所述第一端固定在芯片上，所述第二端固定在所述第一焊盤或非所述第一焊盤上，并且設置于所述銀層上；

封裝塑料層，用于封裝所述框架結構及所述芯片；

其中，所述第二焊盤包括第一分焊盤及第二分焊盤，所述第一開槽設置于所述第一分焊盤及所述第二分焊盤之間，使得所述第二焊盤上的鍍銀層被約束在所述第一分焊盤和所述第二分焊盤的部分區(qū)域上。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述第一開槽全部截斷或者部分截斷所述第一分焊盤及所述第二分焊盤。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述框架結構還包括：至少一第二開槽，設置于所述基島與所述第二焊盤間，并毗鄰所述第二焊盤設置，該第二開槽通過半刻蝕工藝形成，使得所述第二焊盤在所述第二開槽處具有半鏤空區(qū)域。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，位于所述第二開槽處的上下兩個封裝塑料層，形成咬合結構，在所述封裝塑料層固化時，其上下方向上所產生的拉力抵消，使得位于上方的封裝塑料層無法對引線形成拉扯的力。