[發明專利]高電阻率的磁體的制備方法

有效

• 申請號: 202011616806.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113130196B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 王帥;孫珊珊;杜飛;鈕萼;陳治安;王湛;饒曉雷;胡伯平
• 申請（專利權）人: 北京中科三環高技術股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/055
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 劉興;冷文燕

本申請涉及一種高電阻率的磁體的制備方法。所述方法包括：制備共晶粉末，共晶粉末為稀土氟化物和堿金屬氟化物的共晶組織RF₃?MF的粉末，其中，R為Pr、Nd、Ce、La、Dy、Tb、Ho、Gd、Y、Er、Tm、Yb、Lu中的一種或多種，M為Li、Na、K中的一種或多種；將共晶粉末破碎，獲得共晶破碎粉末；將磁粉與共晶破碎粉末混合，獲得混合原料；將混合原料進行取向壓制后燒結，然后進行第一級時效熱處理和第二級時效熱處理，獲得高電阻率的磁體，第一級時效熱處理的溫度高于共晶組織RF₃?MF的熔點。本申請在磁粉中添加共晶組織，共晶組織最終均勻分布在晶界相中，提高磁體電阻率，對磁體的磁性能影響很小。

技術領域

本申請涉及磁體制備領域，具體涉及一種高電阻率的磁體的制備方法。

背景技術

釹鐵硼材料由于其高磁能積、高矯頑力等特點被廣泛應用于計算機、通訊、航空航天、電機等諸多領域，成為制造效能高、體積小、質量輕的磁性功能材料的理想材料，對許多應用領域產生革命性的影響。但由于釹鐵硼材料的自身特性，其電阻率較低，在高頻交變的電磁場環境及高速運轉的電機中，釹鐵硼磁鋼內部會產生明顯的渦流損耗，從而導致磁體溫度升高，造成能耗損失、磁體性能下降、導致磁鋼燒蝕等各種不良。因此需要提高燒結釹鐵硼磁體的電阻率，降低內部渦流損耗。

專利文獻CN1983471A公開了一種R-T-B-C稀土燒結磁體及制造方法，通過混合具有R氟化物的R-T-B-C磁體基體合金與富R的R-T-B-C燒結助劑合金、接著粉碎、成型和燒結獲得了R-T-B-C稀土燒結磁體。然而，該方案中，隨著NdF₃添加量的逐步增加，磁體電阻率逐步提高，磁體剩磁(Br)降低幅度明顯，磁體的矯頑力(H_cj)保持不變或在一些情況下增加。這樣，磁體性能的降低限制了磁體的應用，不利于降低磁體使用量。

專利文獻CN104167271公開了一種制備高電阻率磁體的方法：磁粉與若干薄層氧化物或氟化物的微粉交替填充壓合構成的夾芯結構，在壓型時先向模腔中裝入磁粉層，再向該磁粉層的表面裝入氧化物或氟化物等的微粉層，氧化物或氟化物層通過惰性氣體噴槍噴入，如此往復地裝料完畢后再進行常規的取向壓制。其中氟化物為氟化鏑或氧化物為氧化鏑，該方法制備磁體的電阻率得到了較大提高，同時磁體的磁性能基本沒有降低。但發明人經過研究發現該方案制備的磁體退磁曲線方形度不良，且由于磁體內部處于分層狀態容易造成磁體開裂，影響磁體應用。此外，該技術方案操作復雜，批量生產較為困難。

發明內容

基于上述背景技術的問題，本申請提供了一種高電阻率的磁體的制備方法，大幅提高磁體電阻率的同時減少磁體磁性能的降低。

本申請的一個實施例提供一種高電阻率的磁體的制備方法，包括：制備共晶粉末，所述共晶粉末為稀土氟化物和堿金屬氟化物的共晶組織RF₃-MF的粉末，其中，R為Pr、Nd、Ce、La、Dy、Tb、Ho、Gd、Y、Er、Tm、Yb、Lu中的一種或多種，M為Li、Na、K中的一種或多種；將所述共晶粉末破碎，獲得共晶破碎粉末；將磁粉與共晶破碎粉末混合，獲得混合原料；將所述混合原料進行取向壓制后燒結，然后進行第一級時效熱處理和第二級時效熱處理，獲得高電阻率的磁體，所述第一級時效熱處理的溫度高于共晶組織RF₃-MF的熔點。

根據本申請的一些實施例，所述制備共晶粉末包括：將稀土氟化物RF₃的粉末和堿金屬氟化物MF的粉末混合均勻；將混合均勻的粉末進行共晶熱處理，獲得所述共晶粉末。

根據本申請的一些實施例，所述稀土氟化物RF₃的粉末和堿金屬氟化物MF的粉末的平均粒徑均為0.2～80μm。

根據本申請的一些實施例，所述共晶破碎粉末的平均粒徑為0.2～10μm。

根據本申請的一些實施例，所述共晶熱處理的溫度為720℃～1050℃。