[發明專利]高電阻率的磁體的制備方法

有效

• 申請號: 202011616806.5
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN113130196B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 王帥;孫珊珊;杜飛;鈕萼;陳治安;王湛;饒曉雷;胡伯平
• 申請（專利權）人: 北京中科三環高技術股份有限公司
• 主分類號: H01F41/02
• 分類號: H01F41/02;H01F1/055
• 代理公司: 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446
• 代理人: 劉興;冷文燕

1.一種高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，包括：

制備共晶粉末，所述共晶粉末為稀土氟化物和堿金屬氟化物的共晶組織RF₃-MF的粉末，其中，R為Pr、Nd、Ce、La、Dy、Tb、Ho、Gd、Y、Er、Tm、Yb、Lu中的一種或多種，M為Li、Na、K中的一種或多種；

將所述共晶粉末破碎，獲得共晶破碎粉末；

將磁粉與共晶破碎粉末混合，獲得混合原料；

將所述混合原料進行取向壓制后燒結，然后進行第一級時效熱處理和第二級時效熱處理，獲得磁體，所述第一級時效熱處理的溫度高于共晶組織RF₃-MF的熔點。

2.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述制備共晶粉末包括：

將稀土氟化物RF₃的粉末和堿金屬氟化物MF的粉末混合均勻；

將混合均勻的粉末進行共晶熱處理，獲得所述共晶粉末。

3.根據權利要求2所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述稀土氟化物RF₃的粉末和堿金屬氟化物MF的粉末的平均粒徑均為0.2～80μm。

4.根據權利要求3所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述稀土氟化物RF₃的粉末和堿金屬氟化物MF的粉末粒度差異a≤30％，a＝(D_大-D_小)/D_大，其中，D_大是稀土氟化物RF₃粉末平均粒徑和堿金屬氟化物MF粉末平均粒徑中的最大值，D_小是稀土氟化物RF₃粉末平均粒徑和堿金屬氟化物MF粉末平均粒徑中的最小值。

5.根據權利要求3所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述共晶破碎粉末的平均粒徑為0.2～10μm。

6.根據權利要求2所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述共晶熱處理的溫度為720℃～1050℃。

7.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述共晶粉末中稀土氟化物RF₃的摩爾百分比為10mol％～40mol％。

8.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述磁粉的平均粒徑為1.0～8.0μm。

9.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述混合原料中共晶破碎粉末的質量百分比為0.5％～15％。

10.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述燒結的溫度為1000℃～1100℃。

11.根據權利要求1所述高電阻率的磁體的制備方法，其特征在于，所述第一級時效熱處理的溫度為720℃～980℃，保溫時間為0.5～5h；

所述第二級時效熱處理的溫度為450℃～620℃，保溫時間為0.5～8h。