[發(fā)明專(zhuān)利]器件窗口檢驗(yàn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011616455.8
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112698185B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樊強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 海光信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 分類(lèi)號(hào): G01R31/28
• 代理公司: 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 唐菲

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N器件窗口檢驗(yàn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：獲取待測(cè)批次中每個(gè)晶圓上每個(gè)芯片的器件性能信息，其中所述芯片內(nèi)設(shè)置有性能監(jiān)控測(cè)試單元，所述器件性能信息由所述性能監(jiān)控測(cè)試單元測(cè)試得到；根據(jù)每個(gè)所述芯片的所述器件性能信息，對(duì)所述晶圓中的芯片進(jìn)行分類(lèi)；對(duì)分類(lèi)后的芯片組做器件窗口檢驗(yàn)，生成所述芯片產(chǎn)品的最終器件窗口。本申請(qǐng)可以快速挑選合適的產(chǎn)品器件窗口檢驗(yàn)所需的芯片(die)樣本，更準(zhǔn)確地檢驗(yàn)新的器件窗口，快速修正器件目標(biāo)值。同時(shí)適用于“新產(chǎn)品導(dǎo)入(tape?out)試生產(chǎn)(engineer?lot?phase)”和“量產(chǎn)(mass?production)產(chǎn)品器件目標(biāo)值轉(zhuǎn)移(device?target?shift)”事宜。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種器件窗口檢驗(yàn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，產(chǎn)品器件窗口表示了產(chǎn)品制造的難易度，同時(shí)決定了制程控制要求。

假設(shè)75％良率是芯片量產(chǎn)的可接受范圍，則可根據(jù)晶圓中實(shí)際的芯片良率圈出一個(gè)量產(chǎn)允許的范圍，就是器件窗口的位置,這個(gè)器件窗口的中心出就是俗稱(chēng)的產(chǎn)品的實(shí)際目標(biāo)值(sweet?point)。一個(gè)芯片產(chǎn)品在一定的生產(chǎn)工藝下只有一個(gè)器件窗口，除非芯片設(shè)計(jì)有更改或者生產(chǎn)工藝有變化則會(huì)形成新的器件窗口。一般通過(guò)不同快慢的芯片組來(lái)檢驗(yàn)、確定、生成器件窗口。

新產(chǎn)品需要對(duì)器件窗口和目標(biāo)值檢驗(yàn)確認(rèn)。而已量產(chǎn)產(chǎn)品的器件窗口和目標(biāo)值，有時(shí)也會(huì)因?yàn)橹瞥坦に嚻脚_(tái)升級(jí)、或是測(cè)試程序版本變動(dòng)而改變，此時(shí)必須重新確定器件窗口(device?window)，并移動(dòng)器件目標(biāo)值到新的器件窗口中心。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種器件窗口檢驗(yàn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，可以快速挑選合適的產(chǎn)品器件窗口檢驗(yàn)所需的芯片(die)樣本，更準(zhǔn)確地檢驗(yàn)新的器件窗口，快速修正器件目標(biāo)值。同時(shí)適用于“新產(chǎn)品導(dǎo)入(tape-out)試生產(chǎn)(engineer?lot?phase)”和“量產(chǎn)(mass?production)產(chǎn)品器件目標(biāo)值轉(zhuǎn)移(device?target?shift)”事宜。

本申請(qǐng)實(shí)施例第一方面提供了一種器件窗口檢驗(yàn)方法，包括：獲取待測(cè)批次中每個(gè)晶圓上每個(gè)芯片的器件性能信息，其中所述芯片內(nèi)設(shè)置有性能監(jiān)控測(cè)試單元，所述器件性能信息由所述性能監(jiān)控測(cè)試單元測(cè)試得到；根據(jù)每個(gè)所述芯片的所述器件性能信息，對(duì)所述晶圓中的芯片進(jìn)行分類(lèi)；對(duì)分類(lèi)后的芯片組做器件窗口檢驗(yàn)，生成所述芯片產(chǎn)品的最終器件窗口。

于一實(shí)施例中，所述根據(jù)每個(gè)所述芯片的所述器件性能信息，對(duì)所述晶圓中的芯片進(jìn)行分類(lèi)，包括：將多個(gè)所述芯片的器件性能信息與預(yù)設(shè)性能閾值進(jìn)行比對(duì)，按照器件速率的大小，將多個(gè)所述芯片劃分成多個(gè)芯片組。

于一實(shí)施例中，所述器件性能信息包括所述芯片的飽和電流；所述預(yù)設(shè)性能閾值為飽和電流閾值；所述將多個(gè)所述芯片的器件性能信息與預(yù)設(shè)目標(biāo)值進(jìn)行比對(duì)，按照器件速率的大小，將多個(gè)所述芯片劃分成多個(gè)芯片組，包括：將所述飽和電流在所述飽和電流閾值限定的電流閾值范圍內(nèi)的芯片分入第一芯片組，將所述飽和電流大于所述電流閾值范圍的芯片分入第二芯片組，將所述飽和電流小于所述電流閾值范圍的芯片分入第三芯片組。

于一實(shí)施例中，所述對(duì)分類(lèi)后的芯片組做器件窗口檢驗(yàn)，生成所述芯片產(chǎn)品的最終器件窗口，包括：獲取每個(gè)所述芯片組的良率信息；基于所述良率信息和預(yù)設(shè)良率閾值，生成所述芯片產(chǎn)品的所述最終器件窗口和所述最終器件窗口的實(shí)際目標(biāo)值。

于一實(shí)施例中，所述基于所述良率信息和預(yù)設(shè)良率閾值，生成所述芯片產(chǎn)品的所述最終器件窗口和所述最終器件窗口的實(shí)際目標(biāo)值，包括：基于所述良率信息繪制所述芯片組的良率等高線(xiàn)；選取符合所述預(yù)設(shè)良率閾值的目標(biāo)等高線(xiàn)，所述最終器件窗口為所述目標(biāo)等高線(xiàn)所屬的目標(biāo)區(qū)域范圍，所述實(shí)際目標(biāo)值為所述目標(biāo)區(qū)域范圍的中心點(diǎn)值。