[發明專利]測輻射熱計的新型陶瓷封裝

在審

• 申請號: 202011615768.1
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN112802908A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 黃樹紅
• 申請（專利權）人: 深圳市聯科威科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0203
• 分類號: H01L31/0203;H01L31/101;G01J5/20;G01J5/02
• 代理公司: 深圳科灣知識產權代理事務所(普通合伙) 44585
• 代理人: 楊艷霞

1.測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于，包括晶圓片，在所述晶圓片內安裝傳感器單元或在晶圓片上方安裝傳感器單元，所述晶圓片位于安裝傳感器單元位置對稱設置有襯墊，所述襯墊位置粘和連接有錫球，之后，將所述晶圓片鋸成小片，小片即測輻射熱計，將小片放置于陶瓷中封裝，陶瓷中內對稱設置有陶瓷墊，將測輻射熱計上粘和的錫球再粘和連接到陶瓷墊上，然后進行真空包裝和透鏡覆蓋。

2.根據權利要求1所述的測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于：除了上面描述的基本封裝方法外，在基本方法上也做了一些其他變化，第一種變化是在陶瓷內部和測輻射熱計傳感元件之間增加反射層，且反射層與陶瓷粘合連接。

3.根據權利要求1所述的測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于：除了上面描述的基本封裝方法外，在基本方法上也做了一些其他變化，第二種變化是在測輻射熱計粘合的錫球上再粘合連接一個中介層，并在中介層的另一端粘合連接到陶瓷封裝中的墊片。

4.根據權利要求3所述的測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于：除了上面描述的基本封裝方法外，在基本方法上也做了一些其他變化，第三種變化是對第二種變化的進一步修改，在測輻射熱計傳感元件和中介層之間增加反射層，其反射層與中介層呈內嵌設置。

5.根據權利要求1所述的測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于：除了上面描述的基本封裝方法外，在基本方法上也做了一些其他變化，第四種變化是在傳感器的切片中集成CMOS電路。

6.根據權利要求1所述的測輻射熱計的新型陶瓷封裝，其特征在于：除了上面描述的基本封裝方法外，在基本方法上也做了一些其他變化，第五種變化是對第四種變化的進一步修改，在陶瓷內部和測輻射熱計傳感元件之間增加反射層。