[發明專利]一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極

在審

• 申請號: 202011614982.5
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN112652509A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 李文亮;周博文;侯瑞;張鵬蛟;張鴻;孫安;李俊周
• 申請（專利權）人: 南京大學;南京質子源工程技術研究院有限公司;江蘇安德信超導加速器科技有限公司
• 主分類號: H01J3/40
• 分類號: H01J3/40;H01J3/04
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 顧翰林

本發明公開了一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極，屬于離子源技術領域，包括從前至后依次設置的陽極、前隔套、抑制電極、后隔套、地電極和法蘭盤；前隔套與后隔套均為陶瓷隔套。本發明是一種可抑制二次電子回到離子源的雙等離子體離子源質子引出的引出電極。

技術領域

本發明屬于離子源技術領域，尤其涉及一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極。

背景技術

目前常用的引出電極有平板式和錐形等不同的形式，現有引出電極容易造成二次電子回到離子源，造成束流的不穩定，進而影響了束流的穩定性。

發明內容

本發明的目的是提供一種可抑制二次電子回到離子源的等離子體離子源質子引出的引出電極。

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極，包括從前至后依次設置的陽極、前隔套、抑制電極、后隔套、地電極和法蘭盤；

抑制電極包括從后至前依次銜接的第一環形部、第一錐筒部和第二錐筒部，第二錐筒部前端設置通孔；

地電極包括從后至前依次銜接的環形部、錐筒部a和錐筒部b，錐筒部b前端也設置通孔；

地電極的錐筒部b前端伸入抑制電極的第二錐筒部內，錐筒部b與第二錐筒部相間隔，第一錐筒部與錐筒部a均設有通氣孔；

前隔套與后隔套均為陶瓷隔套；

法蘭盤設有中心孔，法蘭盤的中心孔、地電極內腔、后隔套內腔、抑制電極內腔和前隔套內腔相互連通且五者構成的腔室為真空腔。

陽極包括陽極安裝板，陽極安裝板、前隔套、抑制電極的第一環形部、后隔套、地電極的環形部和法蘭盤依次接觸。

前隔套與抑制電極的第一環形部之間、抑制電極的第一環形部與后隔套之間、后隔套與地電極的環形部之間以及地電極的環形部與法蘭盤之間均設有密封圈。

陽極加一個外接的65KV的電源，抑制電極加一個外接的-5KV的電源，地電極連接地線。

陽極安裝板與法蘭盤之間通過陶瓷螺栓固定連接。

本發明所述的一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極，利用抑制電極，可防止二次電子回到離子源，束流穩定，本發明適用于65KeV雙等離子體離子源，是一種質子束低發射度、高引出效率的引出電極。結構相對簡單，利于生產，對二次電子抑制率高，束流穩定度高。錐筒部b內壁面和第二錐筒部內壁面錐角均為90°，可實現最大化對二次電子的抑制。

附圖說明

圖1是抑制電極的結構示意圖；

圖2是抑制電極的立體圖；

圖3是地電極的結構示意圖；

圖4是圖3的右視圖；

圖5是本發明的結構示意圖；

圖6是質子束流引出仿真圖；

圖中：第一環形部1、環形凹槽2、密封圈槽3、中心通孔4、第一錐筒部5、第二錐筒部6、通孔7、通氣孔8、抑制電極9、環形部10、錐筒部a11、錐筒部b12、地電極13、法蘭盤14、密封圈15、陶瓷螺栓16、后隔套17、陽極孔18、前隔套19、陽極安裝板20、中心孔21、陽極22、質子束流23。

具體實施方式

由圖1-圖5所示的一種用于65KeV雙等離子體離子源質子引出的引出電極，包括從前至后依次設置的陽極22、前隔套19、抑制電極9、后隔套17、地電極13和法蘭盤14。