[發(fā)明專利]一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011613882.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112624034A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇航;李永智;呂軍;賴芳奇;金科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州科陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法包括，在蓋板基板的第一端沿第一預(yù)設(shè)位置的外周開(kāi)設(shè)開(kāi)槽；第一端安裝載板使第一預(yù)設(shè)位置的蓋板基板連接在載板上；去除蓋板基板的與第一端相對(duì)的第二端的材料，使開(kāi)槽為通槽；在蓋板基板的第二端的第二預(yù)設(shè)位置設(shè)置第一膠層；MEMS晶圓包括器件結(jié)構(gòu)和設(shè)置在器件結(jié)構(gòu)四周的金屬墊，第一預(yù)設(shè)位置對(duì)應(yīng)的蓋板基板和第一膠層封裝器件結(jié)構(gòu)，金屬墊與通槽相對(duì)設(shè)置；去除載板。所述MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)通過(guò)上述的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法制成。本發(fā)明的MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化工藝，封裝效率高，結(jié)構(gòu)尺寸小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro-Mechanical Systems，MEMS)涉及電子、機(jī)械、材料等多種學(xué)科與技術(shù)，廣泛應(yīng)用于微型壓力傳感器、加速度傳感器、微麥克風(fēng)等產(chǎn)品中，其具有廣闊的應(yīng)用前景。在實(shí)際應(yīng)用中，要求MEMS器件封裝結(jié)構(gòu)尺寸及成本進(jìn)一步降低，同時(shí)提高集成度和性能。MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法及封裝結(jié)構(gòu)中，傳統(tǒng)工藝中主要采用平面基板封裝，通過(guò)引線鍵合工藝，導(dǎo)致封裝效率低，封裝體積大；現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)導(dǎo)電構(gòu)件與電極相連取代了引線鍵合工藝，一定程度上減少了封裝尺寸，但無(wú)法降低封裝厚度，且工藝復(fù)雜，生產(chǎn)成本高，降低了產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，簡(jiǎn)化封裝工藝，封裝效率高，降低封裝結(jié)構(gòu)尺寸。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法，包括：

在蓋板基板的第一端沿第一預(yù)設(shè)位置的外周開(kāi)設(shè)開(kāi)槽；

在蓋板基板的第一端安裝載板，第一預(yù)設(shè)位置的蓋板基板連接在載板上；

去除蓋板基板的與第一端相對(duì)的第二端的材料，使開(kāi)槽為通槽；

在蓋板基板的第二端的第二預(yù)設(shè)位置設(shè)置第一膠層；

MEMS晶圓包括器件結(jié)構(gòu)和設(shè)置在器件結(jié)構(gòu)四周的金屬墊，第一預(yù)設(shè)位置對(duì)應(yīng)的蓋板基板和第一膠層封裝器件結(jié)構(gòu)，金屬墊與通槽相對(duì)設(shè)置；

去除載板，形成MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)。

可選地，去除所述載板之后還包括，在所述金屬墊上焊錫。

可選地，在所述蓋板基板的所述第一端沿所述第一預(yù)設(shè)位置開(kāi)設(shè)所述開(kāi)槽之前還包括，在所述蓋板基板上設(shè)置第二膠層，并在所述第一預(yù)設(shè)位置去除所述第二膠層；

在所述蓋板基板的所述第一端沿所述第一預(yù)設(shè)位置開(kāi)設(shè)所述開(kāi)槽之后還包括，去除剩余的所述第二膠層。

可選地，在所述蓋板基板的所述第一端安裝所述載板之前還包括，在所述蓋板基板的所述第一端設(shè)置第三膠層，所述蓋板基板與所述載板通過(guò)所述第三膠層粘接；

去除所述載板之后還包括，去除所述第三膠層。

可選地，所述MEMS器件晶圓級(jí)封裝方法還包括：

在所述蓋板基板的第二端壓接干膜，去除所述第二預(yù)設(shè)位置以外的所述干膜，以在所述第二預(yù)設(shè)位置形成所述第一膠層。

可選地，所述蓋板基板與所述MEMS晶圓通過(guò)紅外線進(jìn)行對(duì)位，以使所述第一預(yù)設(shè)位置對(duì)應(yīng)的所述蓋板基板和所述器件結(jié)構(gòu)、以及所述通槽與所述金屬墊分別相對(duì)設(shè)置。

本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種MEMS器件晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，簡(jiǎn)化封裝工藝，封裝效率高，降低封裝結(jié)構(gòu)尺寸。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：